技术编号:7229602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于形成集成电路芯片的应变半导体层,更具体而言,涉及控制应变半导体层中的位错行为。背景技术 在处于张应变下的Si层上形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),允许高性能/低功耗CMOS集成电路得以继续发展。在应变Si中与在没有应变的Si中相比增加的载流子迁移率,允许增加开态晶体管电流而不需减小器件的物理尺寸;其中减小器件的物理尺寸已经逐渐变得越来越困难。对于应变Si的应用来说,用于在晶体管沟道区域产生应变的两个主要方法为1)在弛豫SiGe...
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