技术编号:7229759
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体膜、。背景技术 多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)作为在玻璃或石英等绝缘基板上制造高性能晶体管元件的方法,被广泛利用。在Poly-Si TFT中,对其性能影响较大的是多晶硅薄膜中的结构缺陷。在多晶硅薄膜中,存在移植(implantation)、双晶边界、层积缺陷、晶粒边界等各种结构缺陷。由于这些缺陷成为妨碍作为导电载体的电子/空穴运动的原因,因此与单晶硅元件相比,poly-Si TFT一般性能较差。为了解决这样的课题,提出了增大绝缘...
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