半导体元件、半导体装置及它们的制造方法

专利名称：：半导体元件、半导体装置及它们的制造方法
技术领域：
：本发明涉及半导体膜、半导体元件、半导体装置及它们的制造方法。
背景技术：
：多晶硅薄膜晶体管(poly-SiTFT)作为在玻璃或石英等绝缘基板上制造高性能晶体管元件的方法，被广泛利用。在Poly-SiTFT中，对其性能影响较大的是多晶硅薄膜中的结构缺陷。在多晶硅薄膜中，存在移植(implantation)、双晶边界、层积缺陷、晶粒边界等各种结构缺陷。由于这些缺陷成为妨碍作为导电载体的电子/空穴运动的原因，因此与单晶硅元件相比，poly-SiTFT一般性能较差。为了解决这样的课题，提出了增大绝缘基板上的多晶硅薄膜的晶粒直径、或局部形成类似单晶硅薄膜的方法。下面列举这些方法。1.SLS(SequentialLateralSolidification)法是在照射准分子激光获得多晶硅薄膜时，使扫描方向的间距非常小，从而使晶粒沿激光扫描方向较长地伸展的方法(例如，参照非专利文献1)。2.CLC(CW-laserLateralCrystallization)法是一边照射连续振荡激光，一边对基板进行扫描，使硅的晶粒沿激光扫描方向较长地伸展的方法(例如，参照非专利文献2)。3.SELAX(SelectivelyEnlargingLaserX′tallization)法是在通过准分子激光进行了晶体化之后，利用连续振荡激光，使既存晶粒沿激光扫描方向较长地伸展的方法(例如，参照非专利文献3)。4.PMELA(Phase-maskModulatedExcimerLaserAnnealing)法是利用相位差掩模，形成具有强度分布的准分子激光，进行硅薄膜的晶体化，并利用在强度强的区域与弱的区域之间产生的热梯度，使薄膜的面内方向的晶粒生长的方法(例如，参照非专利文献4)。5.μ-Czochralski法是在基板上设置微细孔，按照覆盖微细孔的方式堆积非晶硅薄膜，若对这样的结构照射准分子激光，则从微细孔的底部开始熔融/晶体化，只有生长速度最快的晶体会选择性地生长，从而可获得类似单晶硅薄膜(quasi-singlecrystalsiliconthinfilm)的方法(例如，参照非专利文献5、6)。若利用这些方法，则都可获得具有数μm以上的晶粒直径的多晶硅薄膜。若对这样的硅薄膜，注意按照不含晶粒边界的方式制造薄膜晶体管，则都可在绝缘基板上获得具有300～500cm2/Vs以上的高载流子迁移率的薄膜晶体管元件。非专利文献1”Characterisationofpoly-SiTFT′sinDirectionallySolidifiedSLSSi”.S.D.Brotherton，etal.，AsiaDisplay/IDW′01Proceedings，pp.387-390非专利文献2”Ultra-highPerformancePoly-SiTFT′sonaGlassbyaStableScanningCWLaserLateralCrystallization”，A.Hara，etal.，AM-LCD′01DigestofTechnicalPapers，pp.227-230非专利文献3”SystemonGlassDisplaywithLTPS-TFTsFormedusingSELAX(SelectivelyEnlargingLaserX′tallization)Technology”，M.Hatano，etal.，ProceedingsofIDW/AD′05，pp.953-95非专利文献4”AdvancedPhase-ModulatorsforNext-GenerationLow-TemperatureSiFilmCrystallizationMethod”，Y.Taniguchi，etal.，ProceedingsofIDW/AD′05，pp.981-98非专利文献5”Effectsofcrystallographicorientationofsingle-crystallineseedonμ-Czochralskiprocessinexcimer-lasercrystallization”，M.He，etal.，ProceedingsofIDW/AD′05，pp.1213-121非专利文献6”Single-CrystallineSiThin-FilmTransistorsFabricatedwithμ-Czochralski(Grain-Filter)Process”，R.Ishihara，etal.，AM-LCD′02DigestofTechnicalPapers，pp.53-56但是，在上述的现有方法中，尽管可形成数μm左右的大晶粒，但对获得的晶粒的结晶方位未进行控制，各晶粒的结晶方位处于随机的状态。由于载流子迁移率依赖于硅的结晶方位而不同，因此，由于晶粒的方位未被统一，所以各薄膜晶体管元件的性能差异很大。为了进一步提高薄膜晶体管元件的电气特性，希望确立可形成对晶粒的结晶方位进行了控制的高品质半导体薄膜的制造方法。
发明内容本发明的一个方式着眼于这样的课题，其目的在于，提供一种可获得有效控制了结晶方位的高品质单晶或类似单晶半导体膜的半导体膜、半导体装置以及它们的制造方法。在本发明的半导体元件的制造方法包括第一工序，准备设置有形成在表面的多个突起部的第一基板、和表面形成有半导体膜的第二基板；和第二工序，在使所述多个突起部与所述半导体膜接触的状态下，对所述半导体膜实施热处理。在上述半导体元件的制造方法中，可在所述第二工序中通过所述热处理使所述半导体膜熔融。在上述半导体元件的制造方法中，也可通过进行所述第二工序，与所述多个突起部对应地在所述半导体膜内形成多个单晶粒。在本发明的半导体元件的制造方法中，“单晶粒”是指具有规定结晶方位的结晶性区域(crystallinedomain)，还可包括例如通过对类似单晶性区域、近似单结晶性区域或半导体膜实施热处理，与实施该热处理之前的半导体膜的至少一部分的晶体性相比，晶体性相对提高了的区域等。在上述半导体元件的制造方法中，还可包括第三工序，在所述第二工序之后，将所述第一基板与所述第二基板分离。由此，还可再次利用分离后的所述第一基板。在上述半导体元件的制造方法中，所述多个突起部可由单晶硅形成。在上述半导体元件的制造方法中，所述多个突起部还可包括形成于所述多个突起部的各自表面的氧化膜。若在单晶硅等具有规定结晶方位的基底层上形成氧化膜，则该氧化膜也成为被取向控制的薄膜，在半导体膜的热处理时，可提高该半导体膜的晶体性。在上述半导体元件的制造方法中，所述多个突起部可包括形成于所述多个突起部的各自表面的氧化膜，在所述第三工序中，所述氧化膜被除去。在上述半导体元件的制造方法中，所述多个突起部的每一个可由多孔质形成。在上述半导体元件的制造方法中，所述多个突起部的每一个可由多孔质形成，在所述第三工序中，可除去所述多个突起部。在上述半导体元件的制造方法中，所述第二工序可包括下述工序从所述第二基板的与形成有所述半导体膜的面对置的面一侧，向所述半导体膜照射激光。本发明的半导体元件，通过上述的半导体元件的制造方法制造。本发明的半导体装置的制造方法，包括上述半导体元件的制造方法。本发明的半导体装置，通过上述的半导体装置的制造方法制造。本发明的半导体薄膜的制造方法包括将设置有排列于表面的多个突起部的单晶半导体基板、与表面堆积有半导体薄膜的透光性基板，使相互的表面相对进行结合的工序；对所述半导体薄膜实施热处理，使所述半导体薄膜熔融晶体化，在所述透光性基板上以所述多个突起部的每一个为起点，形成由多个近似单晶粒构成的类似单晶半导体薄膜的工序；以及将包括所述类似单晶半导体薄膜的所述透光性基板与所述单晶半导体基板分离的工序。根据本发明，可在透光性基板上获得类似单晶半导体薄膜。由于所得到的类似单晶半导体薄膜，由形成在近似以单晶半导体基板的突起部为中心的范围内的近似单晶粒构成，因此，具有晶粒大且结晶方位被控制、实质上与单晶硅或SOI等同样优异的半导体性能。而且，由于可正确控制晶体生长部的位置，因此，可仅在透光性基板上的必要部分有效地获得高品质的类似单晶半导体薄膜。在该半导体薄膜的制造方法中，所述单晶半导体基板在包括所述多个突起部的表面设置有氧化膜，在所述分离的工序中，除去所述氧化膜。在该半导体薄膜的制造方法中，所述单晶半导体基板，其所述多个突起部为多孔质，在所述分离的工序中，除去所述多个突起部。该半导体薄膜的制造方法中，在形成所述类似单晶半导体薄膜的工序中，可包括如下工序从所述透光性基板的与形成有所述半导体薄膜的面相反的面一侧，向所述半导体薄膜照射激光。本发明的半导体薄膜通过上述半导体薄膜的制造方法制造。本发明的半导体装置的制造方法包括上述半导体薄膜的制造方法。本发明的半导体装置通过上述半导体装置的制造方法制造。图1是表示本发明实施方式的半导体薄膜的制造方法的图；图2是表示本发明实施方式的半导体薄膜的制造方法的图；图3是表示本发明实施方式的半导体薄膜的图；图4是表示本发明实施方式的基板分离工序的图；图5是表示本发明实施方式的基板分离工序的图；图6是表示本发明实施方式的半导体薄膜的制造方法的图；图7是表示本发明实施方式的半导体薄膜的制造方法的图；图8是表示本发明实施方式的半导体元件的制造方法的图；图9是表示本发明实施方式的半导体装置的图。图中2-单晶硅基板；4-透光性基板；6-薄膜晶体管；10-突起部；12-硅薄膜(非晶硅薄膜)；14-准分子激光；16-晶体硅；18-接点；20-类似单晶硅薄膜；22-氧化被膜；24-晶粒边界；26-接点；30-单晶硅基板；32-多孔质单晶硅层；34-突起部；36-接点；38-单晶硅基板；40-抗蚀层；42-单晶硅基板；44-突起部；46-抗蚀层；48-单晶硅基板；50-突起部；52-类似单晶硅薄膜；54-氧化硅膜；56-栅电极；58-源极区域；60-漏极区域；62-活性区域；64-氧化硅膜；66-源电极；68-漏电极；100-有机EL显示器；110-显示区域；112-像素区域；114-驱动区域；116-驱动区域。具体实施例方式下面，参照附图，对应用了本发明的实施方式进行说明。图1和图2是表示本发明实施方式的半导体薄膜的制造方法的图。本实施方式的半导体薄膜的制造方法如图1(A)所示，首先，在透光性基板4上堆积作为半导体薄膜的非晶硅薄膜(下面称为硅薄膜)12。硅薄膜12可根据等离子体化学气相沉积法(PECVD法)、低压化学气相沉积法(LPCVD法)等，在透光性基板4上堆积成厚度100nm左右。另外，构成透光性基板4的绝缘材料并不限定于玻璃。透光性基板4例如可使用液晶用的无碱玻璃或石英。希望透光性基板4的表面粗糙度尽可能小。这是为了与后述的单晶半导体基板相接。然后，准备表面设置有突起部10的作为单晶半导体基板的单晶硅基板2。单晶硅基板2在与其对置的透光性基板4存在弯曲或厚度不均匀的情况下，为了追随这样的表面高度不均匀性，希望薄至某一程度。具体而言，例如若单晶硅基板2为50μm～500μm左右的厚度，则通过施加压力可与透光性基板4密接。单晶硅基板2的厚度若在50μm以下则难以确保强度，若在500μm以上则相对于透光性基板4的追随性下降。接着，如图1(B)所示，将表面设置有突起部10的单晶硅基板2、和表面堆积有硅薄膜12的透光性基板4，以相互的表面相对地进行贴合。此时，单晶硅基板2的突起部10和形成在透光性基板4上的硅薄膜12成为通过接点18相接的状态。接着，在单晶硅基板2的突起部10的接点18与形成在透光性基板4上的硅薄膜12相接的状态下，对透光性基板4的硅薄膜12实施热处理。作为对硅薄膜12实施热处理的方法，可优选使用准分子激光、YAG激光及高频等。例如从透光性基板4的与硅薄膜12的面相反侧照射准分子激光14。激光照射适宜利用例如波长为308nm、脉冲宽度为100ns～300ns的XeCl脉冲准分子激光，按照能量密度达到0.4～1.5J/cm2左右的方式进行。通过在这样的条件下进行激光照射，照射的激光大部分在硅薄膜12的表面附近被吸收。这是由于XeCl脉冲准分子激光的波长(308nm)处的非晶质硅的吸收系数为0.139nm-1比较大。通过这样适当选择激光照射的条件，使得位于突起部10附近的含晶体成分的半导体膜在整个膜厚方向上未完全熔融，必定会剩余某种程度的非熔融状态的部分，另一方面，位于突起部10附近以外的区域的硅薄膜12在整个膜厚方向上完全熔融。由此，激光照射后的硅的晶体生长首先在突起部10的接点18附近开始，向硅薄膜12的表面附近、即近似完全熔融状态的部分进行。另外，热处理可分多次进行。由此，由于晶体生长在多次内发生，因此可进一步产生上述现象。接着，如图2(A)所示，被实施热处理后的硅薄膜12瞬间熔融，然后，熔融的硅薄膜12在放热(冷却)而凝固的过程中，以晶粒边界24为边界，相变为作为多个近似单晶粒的多个晶体硅16。此时，由于硅薄膜12与单晶硅基板2的突起部10相接的部分从接点18开始优先进行放热(冷却)，因此以接点18为起点进行晶体生长。这是由于在硅薄膜12冷却时，热的扩散通过空气、真空、玻璃材料等，从作为导热率高的硅材料的单晶硅基板2的突起部10的接点18开始优先冷却。由于所得到的晶体硅16分别独立地从接点18开始进行晶体生长，因此严格来说是多晶硅薄膜。但是，由于所有突起部10都具有相同的结晶方向，因此所获得的晶体硅16为多晶，但具有同一方向。形成了由该晶体硅16构成的作为类似单晶半导体薄膜的类似单晶硅薄膜20。图3是从垂直于透光性基板4面的方向观察此时的状态的图。如图3所示，以各突起部10的接点18为起点，生长晶体硅16。晶体硅16沿纵横方向可生长的距离存在界限Rmax，通过将突起部10的间隔设定在2Rmax以下，各晶体硅16能以晶粒边界24为边界而接合，可完全覆盖透光性基板4面的近似整个面。换言之，尽管各晶体硅16之间存在晶粒边界24，但由于相互的结晶方位相同，因此在晶体结构上与不存在晶粒边界24的情况近似相同。因此，虽然硅薄膜12是多晶，但获得的薄膜成为具有同一方位的类似单晶硅薄膜20。例如，突起部10以几～几十μm间隔在单晶硅基板2上形成为0.1μm～5μm左右直径的圆筒或方形。从各突起部10独立地发生硅薄膜12的外延生长，但由于作为起点的所有突起部10的接点18在相同单晶硅基板2的表面，因此从其开始生长的晶体方位也相同。所以，可获得在透光性基板4整个面内具有相同方向的作为类似单晶半导体薄膜的类似单晶硅薄膜20。通过对硅薄膜12进行激光照射，以突起部10的接点18为起点，使硅薄膜12熔融结晶形成晶体硅16。由此，形成了以突起部10的接点18为中心的晶体硅16，具体而言，形成了由大粒径的晶粒构成的近似单晶的硅膜。在该熔融晶体化之际，通过使突起部10的接点18起到调整晶体的结晶方位的作用，从而可将晶体硅16的结晶方位近似控制在特定的方向。最后，如图2(B)所示，将单晶硅基板2与类似单晶硅薄膜20分离，获得由晶体硅16构成的类似单晶硅薄膜20，从而半导体薄膜的制造工序结束。这样，若在透光性基板4上形成了类似单晶硅薄膜20之后，使单晶硅基板2与透光性基板4分离，则可在透光性基板4上获得高品质的类似单晶硅薄膜20。因此，可在透光性基板4上获得类似单晶硅薄膜20。由于所得到的类似单晶硅薄膜20由形成在近似以单晶硅基板2的突起部10的接点18为中心的范围内的晶体硅16构成，因此，具有晶粒大且结晶方位被控制、实质上与单晶硅或SOI等同样优异的半导体性能。而且，由于可正确控制晶体生长部的位置，因此可仅在透光性基板4上的必要部分有效地获得高品质的类似单晶硅薄膜20。另外，使用了一次的单晶硅基板2在分离之后可反复使用。图4和图5是表示用于使图2(B)的基板分离工序容易进行的方法的工序图。图4是在设置有突起部10的单晶硅基板2的表面形成了薄氧化被膜22的例子。首先，如图4(A)所示，在设置有突起部10的单晶硅基板2的表面形成薄氧化被膜22。若氧化被膜22过厚，则会阻碍硅薄膜12的外延生长，优选设定为1nm～100nm，更优选设定为1nm～10nm左右的厚度。然后，如图4(B)所示，由于氧化被膜22成为反映了原来的单晶硅的方位的晶体结构，因此可从该氧化被膜22的接点26开始硅薄膜12的外延生长。由此，形成了由晶体硅16构成的类似单晶硅薄膜20。接着，如图4(C)所示，若在单晶硅基板2与透光性基板4的分离工序中，例如使用HF水溶液等除去氧化被膜22，则单晶硅基板2与透光性基板4的分离变得容易。另外，如图5所示，预先使单晶硅基板30的表面成为多孔质单晶硅层32，在多孔质单晶硅层32设置多孔质状的突起部34也是有效的方法。多孔质状的突起部34其结晶方向与原来的单晶硅基板30相同，因此硅薄膜12的外延生长可变得容易。而且，由于在单晶硅基板30与透光性基板4分离时，可通过蚀刻多孔质状的突起部34，或进行机械分离，因此可容易地分离单晶硅基板30与透光性基板4。首先，如图5(A)所示，对单晶硅基板30的表面例如实施电场腐蚀处理，形成多孔质单晶硅层32。然后，如图5(B)所示，将多孔质单晶硅层32加工为突起部34。接着，如图5(C)所示，以突起部34的接点36为起点，形成由晶体硅16构成的类似单晶硅薄膜20。然后，如图5(D)所示，在单晶硅基板30与透光性基板4分离时，通过对突起部34(多孔质单晶硅层32)进行化学蚀刻或机械性地破坏，从而可容易地分离单晶硅基板30和透光性基板4。图6和图7是表示对单晶硅基板38设置突起部的工序的图。图6(A)～(C)是表示通过湿蚀刻对从单晶硅基板38上的抗蚀层40的规定图案形状露出的单晶硅基板38的部分进行加工，形成设置有突起部44的单晶硅基板42。图7(A)～(C)是表示通过各向异性干蚀刻对从单晶硅基板38上的抗蚀层46的规定图案形状露出的单晶硅基板38的部分进行加工，形成设置有突起部50的单晶硅基板48。如上所述，在本实施方式的半导体薄膜的制造方法中，可在透光性基板4上获得高品质的类似单晶硅薄膜20。根据本实施方式的半导体薄膜的制造方法制造的作为半导体薄膜的类似单晶硅薄膜20，由于在所有位置均具有相同的晶体方位，因此，实质上具有与单晶硅或SOI等同样优异的半导体性能。这里，以最通用的硅为例进行了说明，但原理上原材料并不限定于硅，可以是锗、镓、砷化镓等能够适用于各种半导体原材料的材料。这里，在本说明书中，“近似单晶粒”不仅指晶粒单一的情况，还包括与此接近的状态、也就是即使组合了多个晶体其数量也较少，从半导体薄膜的性质的观点来看，具有与由近似单晶形成的半导体薄膜同等的性质。图8是表示利用了本实施方式的半导体薄膜的半导体元件的制造方法的图。对利用本实施方式的类似单晶硅薄膜20来形成作为半导体元件的薄膜晶体管6时的工序进行说明。首先，准备形成有类似单晶硅薄膜20的透光性基板4。然后，如图8(A)所示，对类似单晶硅薄膜20进行图案化，除去薄膜晶体管的形成所不需要的部分，形成类似单晶硅薄膜52。例如，形成为不包含晶粒边界24(参照图3)。接着，如图8(B)所示，在透光性基板4和类似单晶硅薄膜52的上表面，通过电子回旋共振PECVD法(ECR-PECVD法)或PECVD法等成膜法，形成氧化硅膜54。该氧化硅膜54作为薄膜晶体管的栅绝缘膜而发挥作用。然后，如图8(C)所示，在通过溅射法等成膜法形成了钽、铝等的导电体薄膜之后进行图案化，从而形成栅电极56和栅极布线膜(未图示)。然后，以该栅电极56为掩模，注入成为供体(donor)或受体(acceptor)的杂质元素，即进行所谓的自调准离子注入，由此，在类似单晶硅薄膜52中形成源极区域58、漏极区域60和活性区域62。例如，在本实施方式中，作为杂质元素注入磷(P)，然后，将XeCl准分子激光调整为400mJ/cm2左右的能量密度，并进行照射，使杂质元素活性化，从而制成N型的薄膜晶体管。另外，也可取代激光照射而通过在250℃～400℃左右的温度下进行热处理来实施杂质元素的活性化。接着，如图8(D)所示，通过PECVD法等成膜法，在氧化硅膜54和栅电极56的上表面形成膜厚为500nm左右的氧化硅膜64。接下来，贯通氧化硅膜54、64的每一个，形成分别到达源极区域58和漏极区域60的接触孔，通过溅射法等成膜法，在这些接触孔内埋入铝、钨等导电体并进行图案化，从而形成源电极66和漏电极68。由此，如图8(D)所示，由金属含有物质构成、促进半导体膜的晶体化的作为晶体化促进膜的镍膜，被配置于突起部的底部附近，利用以突起部为起点进行熔融晶体化而形成的类似单晶硅薄膜52，得到了形成有活性区域62等的薄膜晶体管6。另外，在以上的工序中未进行说明的加工方法是公知的方法即可。通过将本实施方式的类似单晶硅薄膜52用于薄膜晶体管6的活性区域62，可形成截止电流少、迁移率大的高性能薄膜晶体管。另外，在本实施方式中，不限于各种晶体管或二极管、电阻、电感、电容器、其它有源元件或无源元件，“半导体元件”包括能够通过N型与P型半导体的组合而制造的元件。图9是表示使用了本实施方式的半导体元件的半导体装置的图。使用本实施方式的薄膜晶体管制造作为半导体装置的有机EL显示器100。各工序的加工方法是公知的方法即可。如图9所示，有机EL显示器100构成为在显示区域110内配置像素区域112。像素区域112使用了驱动有机EL发光元件的薄膜晶体管。薄膜晶体管使用了通过上述实施方式的制造方法制造的薄膜晶体管。从驱动区域114向各像素区域提供发光控制线(Vgp)和写入控制线。从驱动区域116向各像素区域提供电流线(Idata)和电源线(Vdd)。通过控制写入控制线和恒流线Idata，进行针对各像素区域的电流编程(currentprogramming)，通过控制发光控制线Vgp来控制发光。另外，对驱动区域114和116也可使用本发明的薄膜晶体管。而且，本发明的半导体薄膜并不限定于上述的例子，可在能够应用半导体元件的所有半导体装置中使用。例如，此外还可有效应用于液晶显示器、存储装置、运算装置等。若制造作为具备本实施方式的半导体元件而构成的装置的半导体装置(例如，液晶显示器、有机EL显示器、存储装置和运算装置等)的集成电路等装置，则可制造包括极高性能且均质的集成电路的装置。另外，在本实施方式中，“半导体装置”是指包括半导体元件而构成的装置，例如是包括集成电路的装置。通过使用本实施方式的类似单晶半导体薄膜，可获得电气特性优异的半导体元件、半导体装置。另外，在使用了具有遮光性的材料作为晶体化促进膜的情况下，还可由晶体化促进膜遮挡光对半导体元件的由类似单晶半导体薄膜构成的部分(例如，若为薄膜晶体管则是活性区域等)的入射，而且还可对类似单晶半导体薄膜防止因光激励引起的电动势或暗电流的发生。权利要求1.一种半导体元件的制造方法，包括第一工序，准备设置有形成在表面的多个突起部的第一基板、和表面形成有半导体膜的第二基板；和第二工序，在使所述多个突起部与所述半导体膜接触的状态下，对所述半导体膜实施热处理。2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在所述第二工序中，通过所述热处理使所述半导体膜熔融。3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，通过进行所述第二工序，与所述多个突起部对应地在所述半导体膜内形成多个单晶粒。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括第三工序，在所述第二工序之后，将所述第一基板与所述第二基板分离。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个突起部由单晶硅形成。6.根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个突起部包括形成于所述多个突起部的各自表面的氧化膜。7.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个突起部包括形成于所述多个突起部的各自表面的氧化膜，在所述第三工序中，除去所述氧化膜。8.根据权利要求1～7中任意一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个突起部的每一个由多孔质形成。9.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个突起部的每一个由多孔质形成，在所述第三工序中除去所述多个突起部。10.根据权利要求1～9中任意一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第二工序包括下述工序从所述第二基板的与形成有所述半导体膜的面对置的面一侧，向所述半导体膜照射激光。11.一种半导体元件，通过权利要求1～10中任意一项所述的半导体元件的制造方法制造。12.一种半导体装置的制造方法，包括权利要求1～11中任意一项所述的半导体元件的制造方法。13.一种半导体装置，通过权利要求12所述的半导体装置的制造方法制造。全文摘要在半导体薄膜的制造方法中，将设置有排列于表面的多个突起部(10)的单晶半导体基板(单晶硅基板2)、与表面堆积有半导体薄膜的透光性基板(4)，使相互的表面相对进行结合。对半导体薄膜实施热处理，使半导体薄膜熔融晶体化，在透光性基板(4)上以多个突起部(10)的每一个为起点，形成由多个近似单晶粒(晶体硅16)构成的类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)。将包括类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)的透光性基板(4)与单晶半导体基板(单晶硅基板2)分离。由此，提供可获得在透明的绝缘基板上控制了结晶方位的类似单晶半导体薄膜的半导体膜、半导体元件、半导体装置及其制造方法。文档编号H01L21/02GK101047123SQ20071008784公开日2007年10月3日申请日期2007年3月21日优先权日2006年3月27日发明者宇都宫纯夫,石黑英人申请人:精工爱普生株式会社