技术编号:7229876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有绝缘体上硅(SOI)结构的MOS场效应晶体管。背景技术 近年来,随着互联网爆炸性的膨胀以及多媒体信息社会的进步,移动信息终端市场显著成长起来。对信息器件或构成信息器件的LSI的进一步小型化和功率消耗的降低存在需求。作为为了满足需求的器件技术,SOI器件被关注。当MOS晶体管形成在具有SOI结构的半导体衬底上时,与传统体Si器件相比,有利之处在于寄生电容例如结电容和布线电容的降低,低衬底偏置效应,短沟道效应的抑制,理想器件隔离,陡峭的子阈值...
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