技术编号:7229877
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,并且更具体地,涉及一种用于防止由于对CMOS半导体器件的静电产生的损伤的半导体器件。背景技术 迄今,在CMOS半导体器件中,作为静电放电(下文称作“ESD”)保护元件,在许多情况下使用具有常规漏极结构的NMOS晶体管,其中栅电极被保持为衬底电位,如图3所示。这种晶体管的工作原理是该晶体管的表面击穿,其发生在CMOS半导体器件的最大工作电压与在标准NMOS晶体管中不导致击穿的电压之间的电压范围内发生,引发漏极103b和P型衬底101...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。