技术编号:7229953
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件,且特别涉及一种非易失性存储器及其制造 方法。背景技术在各种存储器产品中,具有可进行多次数据的存入、读取或抹除等动作, 且存入的数据在断电后也不会消失的优点的非易失性存储器,已成为个人电 脑和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的可电抹除且可编程只读存储器以掺杂的多晶硅(polysilicon)制作 浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)。然而,当掺杂的多晶硅浮置 栅极层下方的隧穿氧化层有缺...
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