技术编号:7229981
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作应变硅互补型金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,以下简称CMOS)晶体管的方法,特别是一种覆 盖高应力薄膜于CMOS晶体管,利用离子注入工艺以调整该高应力薄膜的 应力数,可有效改善CMOS晶体管运作效能的应变硅CMOS晶体管的制作 方法。背景技术近年来,利用微缩元件尺寸以提升金属氧化物半导体(metal-oxide semiconductor,以下简称MOS)晶体管表现效能的工...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。