技术编号：7229984
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别是涉及在半导体基板的纵向流过大电流的。背景技术 纵型MOSFET与在同一表面上排列源极、漏极的横型MOSFET相比，由于电流的输出面积增宽，因此，最适合作为大电流元件。图27是现有技术的纵型MOS晶体管的一例的剖面图。在N+型半导体基板201上形成有N一型外延层202，在外延层202的表层形成有P型沟道层203。另外，还形成有从沟道层203的表层到外延层202的规定深度位置的沟槽204，在沟槽204内经由绝缘层205而形成由多晶硅膜构成...
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