技术编号：7229985
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有在栅极绝缘膜方面有改进的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的。背景技术 为了提高大规模集成电路(LSI)的性能和速度，MOS晶体管的尺寸近来已经减小。因此，MOS晶体管的栅极绝缘膜厚度骤然减小。在常规使用的氧化硅膜(SiO2)中，流动着大量的栅极漏电流。因此，对于该氧化硅膜(SiO2)而言，非常需要栅极绝缘膜。在这些情况下，已经尝试使用介电常数比SiO2高的高介电常数材料作栅极绝缘膜来减少栅极漏电流，以使栅极绝缘膜的物理厚度变厚。形成上述...
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