技术编号:7230442
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率M0S器件的制造方法,特别涉及一种提高沟槽型 双层栅功率M0S器件两多晶硅间击穿电压的制造方法。 背景技术功率MOSFET (MOS结构的场效应晶体管)是低压范围内最好的功率开 关器件,以其输入阻抗高,低损耗、开关速度快、无二次击穿、安全工作 区宽、动态性能好,易与前极耦合实现大电流化、转换效率高等特性用于 处理电能,包含频率变换、功率变换和控制、DC/DC转换等。其生产工艺 进入亚微米、深亚微米时代,采用侧墙(Spacer)技术研制的小...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。