技术编号:7230680
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及半导体存储装置,更具体地涉及NOR闪存及其制造工艺。背景技术 当前可以获得几种形式的非易失性存储器,包括电可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、和闪存EEPROM。闪存已被广泛应用于例如存储卡、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话和MP3播放器的装置的高容量存储器中。发明内容本发明的目的是提供一种新的改进了的半导体存储装置及其制造工艺。本发明的另一目的是提供可以克服现有技术的局限和缺点的具有上述特性的半导体存储...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。