技术编号:7231296
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置,且特别涉及一种金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor, MOS)装置的结构及制造方法。 背景技术多晶硅栅极经常利用于金属氧化物半导体装置的工艺中,在典型的多晶 硅栅极工艺中,首先形成栅极介电层及多晶硅层,之后,进行图案化栅极介 电层及多晶硅层,以形成由栅极介电层以及位于栅极介电层上的栅极电极所 组成的栅极叠层。栅极叠层的图案化过程可能导致栅极电极与栅极介电层的损害,因此影 响栅极介电层的完整性。 一种...
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