技术编号:7231686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高性能的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,其具有包含相反应力区域的连续的应力体层,以及涉及一种用于形成这种连续的应力体层的方法。更具体而言,本发明涉及一种CMOS器件,其每个都包括至少一个高性能的n沟道场效应晶体管(n-FET)和至少一个高性能的p-沟道场效应晶体管(p-FET),同时n-FET由连续的电介质应力体层的受到张应力的第一区域覆盖,且p-FET由连续的电介质应力体层的受到压应力的第二区域覆盖。背景技术 在半导体器件衬底内的机械...
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