技术编号：7231891
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到一种具有布线层及接触插塞的。背景技术 在现有的半导体装置中，包括上层的二个布线层之间经由下层的布线层、及接触插塞连接的装置(例如参照专利文献1、2)。在专利文献1中，与接触插塞连接的下部电极130c经过开口127c，通过由多晶硅膜构成的布线123c、接触插塞130d，与布线133c电连接(参照图20)。在专利文献2中，布线206a通过接触插塞204a、由多晶硅构成的高电阻元件层211、接触插塞204b，而与布线206b电连接(参照图21)。专利...
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