技术编号:7231893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及制造半导体器件的方法和根据这些方法制造的器件。具体地,本公开涉及形成接触结构的方法,该接触结构用来将半导体器件的有源区连接到上金属层。本公开还涉及具有根据该方法制造的接触结构的半导体器件。背景技术 现代的半导体器件典型地包括分立器件,如在半导体衬底上形成的晶体管、电阻器和电容器。为了将分立器件互相连接和连接到外围器件,以形成希望的电路,可能需要几个金属层。这些金属层需要接触孔,以贯穿隔开金属层的层间绝缘膜层。因为半导体器件的集成度增加,可用于形成...
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