技术编号:7232088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法,尤指一种能够降低负偏压温度不稳定性(negative bias temperature instability, NBTI)的应变珪 金属氧化物半导体晶体管的制造方法。背景技术随着半导体工艺进入深亚^f效米(例如45纳米及以下)时代,在半导体工艺 中利用高应力膜来提升金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor, MOS) 晶体管的驱动电流(drive current)已逐渐成为 一热...
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