技术编号：7232185
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种根据权利要求1的前序的方法和根据权利要求13的前序的设备。背景技术 在半导体工业中对材料进行构图的过程中，蚀刻工艺，特别是干法蚀刻工艺，通常被用来构图衬底。等离子体蚀刻是一种典型的干法蚀刻工艺，在等离子体蚀刻的过程中利用等离子体来实现材料去除。等离子体蚀刻包括例如反应离子蚀刻(RIE)，其中除了离子轰击之外，所使用的气体气氛的反应成分也起一定的作用。特别是各向异性蚀刻可以通过反应离子蚀刻来实现。等离子体蚀刻还包括ICP(感应耦合等离子体)方法...
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