技术编号:7232381
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体集成电路器件通常采用被直接集成到器件中的电容器。这种集成 电容器包括通过介电层相互隔开的第一和第二电极。在集成器件中,电容器已经被形成于多个不同结构中,包括MOS (金属-氧化物-半导体)电容 器,PN结电容器,PIP (多晶硅-绝缘体-多晶硅)电容器,和MIM (金 属-绝缘体-金属)电容器,其每一个特征都在于用于形成电极和介电层的 材料类型。MOS和PIP电容器类型采用多晶半导体层或单晶半导体层作为电容器 的电极,且PN介电容器类型采用掺杂的单晶...
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