技术编号:7232399
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高张力薄膜的制作方法,尤其涉及一种于一应变硅金属氧4t4勿半导体曰曰曰体管(strained-silicon metal-oxide-semiconductor transistor)上形成高张力薄膜的方法。背景技术随着半导体工艺线宽缩小至65纳米(nm)以下,以及元件微型化的发展, 如何改善元件效能,提升金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件的载流子迁移 率与驱动电流,已成为半导体产业中的一大课题。而为达到提升MOS晶体 管速度,目前业界是已...
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