技术编号:7232446
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,例如在具有槽栅结构的纵式MOSFET等中应用的。背景技术 在半导体衬底的主表面形成沟槽(Trench槽)、并利用该沟槽形成栅电极的槽栅结构,例如应用于IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor绝缘栅双极晶体管)和纵式MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体器件中,主要用于电力等用途(例如参照专利文献1日本特...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。