技术编号:7232487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术作为半导体存储装置,有以往提出的半导体非易失性存储器(例如参照专利文献1、 2或3)。参照图16说明该以往的半导体非易失性存储器。图16是用于说明 以往的半导体非易失性存储器的图,是半导体非易失性存储器的概要截 面图。构成半导体非易失性存储器的基本单元(下面称为存储单元。)210 在硅基板220上具有MOS型的晶体管(MOSFET)。 MOSFET具有栅极 234、第1和第2杂质扩散区域224a和224b、第1和第2电阻变化部222a...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。