技术编号:7232708
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米电子器件及纳米加工,尤其涉及一种利用底切(Undercut)技术制备单电子晶体管的方法。 背景技术以互补式金属一氧化物一半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor ,CMOS)为主流技术的集成电路一直在遵循"摩尔定律" 迅速发展。随着特征尺寸进入到纳米级,传统的CMOS技术面临着越来越 严重的挑战,因此基于新原理的纳米电子器件成为研究的热点。单电子器件是一种基于量子效应和库仑阻塞效应,通过操作少数电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。