技术编号:7232709
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路中的非挥发性存储器,尤其涉及一种多 层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法。背景技术近年来,集成电路中存储器的增长速度已超过逻辑电路,存储器占芯片面积的比例己由1999年的20%增至2005年的71%,而逻辑电路则由 1999年的66%降到2005年的16%。在存储器产品中,市场需求增长最快的是非挥发存储器。闪存(Flash Memory)作为非挥发性存储器的典型器件,目前已广泛应用于U盘、MP3 播放器及手机等多种手持移动存储电子...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。