技术编号：7232958
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构，并且更特别地涉及一种在场效应晶体管(FET)中有用的栅叠层，其中通过对栅电介质材料引入固定空 间分布的电荷密度，控制其阔电压和平带电压。公开了 nFET和/或 pFET结构。本发明还提供一种制造这种半导体结构特别是栅叠层的 方法，其中栅电介质具有固定空间分布的电荷密度，这样能够控制器 件的阈电压/平带电压。背景技术在目前的半导体技术中，对于给定的栅电介质厚度和栅材料(通 常为n+或p+多晶硅)，通过选择适当的沟道掺杂浓度，设定金属...
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