技术编号:7232976
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有稳定击穿电压特性的高压半导体器件。 背景技术通常,采用高压二极管和MOSFET作为用于电功率控制的半导 体器件。要求这种半导体器件在相互矛盾的特性上有所改进,例如, 提高击穿电压,同时降低导通状态电阻,针对这一要求人们已提出了 各种建议。例如,JP-AH9-191109 (KOKAI)公开了一种在肖特基势垒二极 管的ii型基层的表面附近设置多个条状p型掩埋层的技术(该专利文 献中的图12)。将该p型掩埋层设计为在肖特基界面处的电场达到半 导体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。