技术编号:7233098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于除去在半导体设备的制造工序中的干蚀刻和/或灰化(ashing)时形成的残渣的药液、和使用该药液除去这些残渣的半导体设备的制造方法。特别涉及在Cu/Low-k多层配线结构的制造中使用的残渣除去液。 背景技术 一直以来,作为配线材料使用Al或Al合金等、作为层间绝缘膜使用SiO2膜的Al/SiO2多层配线结构的半导体设备作为核心制作。近年来,为了减少伴随半导体设备的微细化而引起的配线延迟(interconnect delay),大多制作使用电阻...
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