技术编号:7233456
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器件,并且更具体涉及非易失性存储器件的制 造方法,其在单元区域和周边区域之间具有减小的台阶。背景技术通常,即使电源供应关闭,非易失性存储器件也不会丟失信息。非易失 性存储器件一般包括电可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除和可编 程只读存储器(EEPROM)、快闪EEPROM等。近年来,存储器已经形 成具有氧化物层/氮化物层/氧化物层的三层栅极绝缘层的硅/氧化物/氮化 物/氧化物/硅(SONOS)结构。如果使用这种SONOS结构,可...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。