技术编号:7233597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法,具体涉及一种使用线 型自对准接触蚀刻形成存储节点接触的方法。背景技术随着半导体器件变得高度集成,在80nm以下的技术的存储节点接 触塞中,已经使用氟化氩(ArF)光刻胶来形成作为沟槽型的接触。然而,当存储节点接触(SNC1)被形成为沟槽型时,因为存储节点 接触塞被填入沟槽型存储节点接触孔,所以存储节点接触的上部的暴露 的表面积小。因此,造成与随后的存储节点的重叠裕度(overlay margin)不足。因此,通常需要...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。