技术编号:7233858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置及其形成方法,且特别涉及一种在源/漏极延伸区具有降低的寄生电阻(parasiticresistance)的半导体装置及其形成方法。技术背景在过去的数十年,金属氧化物半导体场效应晶体管.(MOSFET)的尺寸 縮小,因而可增进集成电路的速度、性能、密度及每单位功能的成本,其中 MOSFET尺寸的縮小包括栅极长度与栅极氧化层厚度的减少。如图1所示, 在一部分的衬底101上形成晶体管100,此部分的衬底借助隔离区103与其 他有源区分隔。...
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