技术编号：7234113
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性半导体存储器的存储单元的栅电极结构o背景技术例如NAND型闪存等的非易失性半导体存储器的存储单元，具 有包括浮栅和控制栅电极的层积栅结构。数据的编程/擦除以如下方式 进行通过利用Fowler-Nordheim (FN)隧道效应在硅衬底与浮栅之 间移动电荷，从而引起存储单元的阈值的改变。这里，为了使非易失性半导体存储器作为非易失性半导体存储器 使用，高阈值和低阈值应该被正确地区别，并使存储单元阈值的变化 宽度(余量)大于固定宽度。但是，...
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