技术编号:7234867
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及关于一种制造半导体器件的方法,更具体而言,涉 及一种制造包含凹陷栅极的半导体器件的方法。 背景技术由于半导体器件变得高度集成,单元晶体管沟道长度下降并衬 底的离子注入掺杂浓度增加,导致由增大的电场引发的结区泄漏的 增加。因此,难以确保具有一般的平面晶体管结构的器件的刷新特 性。已提出了克服这一困难的凹陷栅极的工艺。该凹陷栅极工艺包 括蚀刻衬底的有源区的特定部分,以在凹陷上形成栅极。因此,增 加单元晶体管沟道长度并减少离子注入掺杂浓度,从而改善刷新...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。