技术编号：7235051
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及搭载于例如硬盘装置上，或作为MRAM (磁阻存储器) 使用的隧道型磁检测元件，特别是涉及将Al—O作为绝缘阻挡层使用时能 够得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)，进而能够抑制特性偏差的隧 道型磁检测元件及其制造方法。背景技术隧道型磁检测元件是利用隧道效果产生电阻变化的元件，在固定磁性 层的磁化或自由磁性层的磁化为反平行时，经由设于上述固定磁性层和自 由磁性层之间的绝缘阻挡层(隧道阻挡层)隧道电流难以流过，从而电阻 值为最大，另一方面，在上述固...
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