具备在固定层中含有CoFeB膜的复合层的隧道型磁检测元件及其制造方法

专利名称：：具备在固定层中含有CoFeB膜的复合层的隧道型磁检测元件及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及搭载于例如硬盘装置上，或作为MRAM(磁阻存储器)使用的隧道型磁检测元件，特别是涉及将Al—O作为绝缘阻挡层使用时能够得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)，进而能够抑制特性偏差的隧道型磁检测元件及其制造方法。
背景技术：
：隧道型磁检测元件是利用隧道效果产生电阻变化的元件，在固定磁性层的磁化或自由磁性层的磁化为反平行时，经由设于上述固定磁性层和自由磁性层之间的绝缘阻挡层(隧道阻挡层)隧道电流难以流过，从而电阻值为最大，另一方面，在上述固定磁性层的磁化和自由磁性层的磁化为平行时，上述隧道电流最容易流过，从而电阻值最小。利用该原理，由于自由磁性层的磁化受外部磁场的影响而变动，从而将变化的电阻作为电压变化获取，检测来自记录介质的泄漏磁场。但是，当改变上述绝缘阻挡层的材质时，以电阻变化率(AR/R)为代表的特性改变，因此需要对每种上述绝缘阻挡层的材质进行研究。作为隧道型磁检测元件最重要的特性是电阻变化率(三角形R/R)、RA(元件电阻RX面积A)等，以这些特性的最优化为目的，正在进行绝缘阻挡层及上述绝缘阻挡层的上下形成的固定磁性层及自由磁性层的材质、膜构造的改良。作为Relatedart,有专利文献1:特开2004—23015号公报、专利文献2:特开2006—165059号公报、专利文献3:特开200一165265号公报、专利文献4:特开2005—197764号公报。在上述专利文献中，作为绝缘阻挡层(壁垒层)，公开了氧化铝(Al_0)的使用。在具有反强磁性层、固定磁性层、绝缘阻挡层及自由磁性层的层叠构造的隧道型磁检测元件中，由Al—O形成上述绝缘阻挡层，在由CoFeB这单层形成上述固定磁性层(在层叠铁氧体(7工i;)构造中与绝缘阻挡层相接的第二固定磁性层)时，存在难以得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)的问题。若提高电阻变化率(AR/R)，则RA也升高，另一方面，若减小RA，则电阻变化率(AR/R)也减小。另外，在本来的CoFeB的单层构造中，不能得到足够高的电阻变化率(厶R7R)。如专利文献1的图4、专利文献2的段、及专利文献3的段所记载，在这些专利文献中，由CoFe/CoFeB形成上述固定磁性层(或上述第二固定磁性层)，将由CoFeB形成的CoFeB层与上述绝缘阻挡层相接而形成，但在这种构造中，不能得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。另外，在专利文献4中，例如段公开有一种固定磁性层的材质，但没有通过选择任何材质且将其设为任意层构造，由此得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)的记载。
发明内容于是，本发明是为解决上述现有课题而提出的，其目的在于，特别是涉及一种由Al—O形成绝缘阻挡层的隧道型磁检测元件，提供一种能够得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R),进而能够抑制特性偏差的隧道型磁检测元件及其制造方法。本发明提供一种隧道型磁检测元件，其具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层从下顺序层叠的层叠部分，所述绝缘阻挡层由A1—0形成，构成所述固定磁性层的至少一部分且与所述绝缘阻挡层相接的阻挡层侧磁性层由CoFeB区域和界面区域构成，该CoFeB区域由CoFeB形成，该界面区域位于所述CoFeB区域和所述绝缘阻挡层之间，由CoFe或Co形成。本发明中，优选在在所述CoFeB区域存在B浓度从与所述界面区域的边界的反面侧朝向所述界面区域逐渐减少的组成调制区域。或者，本发明提供一种隧道型磁检测元件，其具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层从下顺序层叠的层叠部分，所述绝缘阻挡层由Al—O形成，构成所述固定磁性层的至少一部分且与所述绝缘阻挡层相接的阻挡层侧磁性层由CoFeB形成，在所述阻挡层侧磁性层中，与所述绝缘阻挡层相接的界面层的B浓度比与所述界面侧相反的一侧的B浓度小。本发明中，优选在在所述阻挡层侧磁性层存在B浓度从所述反面侧朝向所述界面侧逐渐减少的组成调制区域。本发明中，优选为所述阻挡层侧磁性层是在所述CoFeB层和所述界面层的界面有元素扩散产生的层，该所述CoFeB层和所述界面层是将由CoFeB形成的CoFeB层和位于所述CoFeB层和绝缘阻挡层之间由CoFe或Co形成的界面层层叠的层叠构造。或者，本发明提供一种隧道型磁检测元件，其具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层从下顺序层叠的层叠部分，所述绝缘阻挡层由Al—O形成，构成所述固定磁性层的至少一部分且与所述绝缘阻挡层相接的阻挡层侧磁性层由CoFeB层和界面层的层叠构造构成，该CoFeB层由CoFeB形成，该界面层位于所述CoFeB层和所述绝缘阻挡层之间，由CoFe或Co形成。即使上述任一的本发明中，阻挡层侧磁性层由Co、Fe及B构成，所述阻挡层侧磁性层的与所述绝缘阻挡层的界面侧的B浓度比所述界面的反面侧少，或者在所述界面侧，B浓度为0atX、即所述界面侧为CoFe区域的构成。本发明的构成与专利文献13中记载的层构造相反。而且，本发明中，如后述的试验所示，与由CoFeB单层形成所示阻挡层侧磁性层的现有例、及自下顺序由CoFe、CoFeB的层叠构造形成所述阻挡层侧磁性层且在与所述绝缘阻挡层相接的一侧形成CoFeB的参考例相比，能够得到低的RA(元件电阻RX元件面积A)且高的电阻变化率(AR/R)。另外，与目前相比，也能够抑制特性偏差。本发明中，优选所述CoFeB层由(CoyFe卜y〉1()()-XBX(y表示原子比率)形成，B浓度x为大于16站％但在40站％以下的范围内。另夕卜，本发明中，更优选所述B浓度x为17.5at^35at^的范围内。通过B浓度x的变动，RA及电阻变化率(AR/R)变化通过后述的试验得到明确。本发明中，为降低RA且提高电阻变化率(AR/R)，进而减小特性偏差，如上所述，限制B浓度x的范围。另外，本发明中，优选所述CoFeB层的平均膜厚为，在图8所示的图中，以将(l)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)二(17.5at^:1.65nm)、和(2)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(35at%:0.60nm)连结的直线为边界从所述直线到图上方(含直线上)的范围内，而且，界面层相对于所述CoFeB层的膜厚比(界面层的平均膜厚/CoFeB层的平均膜厚)在由下述直线包围的范围内，在图9所示的图中，将A点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.00)及B点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:0.70)连结的直线(含直线上。但除A点)、和将上述B点及C点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:1.65)连结的直线(含直线上)、和将上述C点及D点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.43)连结的直线(含直线上)、和将上述D点及上述A点连结的直线(含直线上。但除A点)。由此，能够有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。另外，本发明中，优选所述界面层由CozFeu)。-z形成，且所述CoFeB层的原子比率y和所述界面层的Co浓度z在由如下直线包围的多面体内规定，即在图10所示的三维图中，将E点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.4:50ato^:35at%)及F点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:70at%:35at^)连结的直线(含直线上)、将所述F点及G点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:90at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将所述G点及H点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:35at^)连结的直线(含直线上)、将所述H点及I点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将所述I点及J点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将所述J点及E点连结的直线(含直线上)、将K点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.75:50at%:17.5at%)及L点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:70at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述L点及M点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:90at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述M点及N点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述N点及O点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述O点及P点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:50at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述P点及K点连结的直线(含直线上)、将所述E点及K点连结的直线(含直线上)、将所述F点及L点连结的直线(含直线上)、将所述G点及M点连结的直线(含直线上)、将所述H点及N点连结的直线(含直线上)、将所述I点及O点连结的直线(含直线上)、将所述J点及P点连结的直线(含直线上)。由此，能够有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR7R)，进而能够抑制特性偏差。另外，本发明中，优选所述B浓度x为20at^30at^的范围内。此时，优选所述CoFeB层的平均膜厚为，在图8所示的图中，以将(3)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(20at%:1.5nm)、禾卩(4)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(30at%:0.90nm)连结的直线为边界从所述直线到图上方(含直线上)的范围内，而且，界面层相对于所述CoFeB层的膜厚比(界面层的平均膜厚/CoFeB层的平均膜厚)在由下述直线包围的范围内，在图9所示的图中将a点(B浓度x:膜厚比)=(20.0at0/^:0,10)及b点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:0.50)连结的直线(含直线上)、和将所述b点及c点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:1.30)连结的直线(含直线上)、和将所述C点及d点(B浓度X:膜厚比)=(20at%:0.60)连结的直线(含直线上)、和将所述d点及所述a点连结的直线(含直线上)。另夕卜，优选所述界面层由CozFe咖-z形成，且所述CoFeB层的原子比率y和所述界面层的Co浓度z在由如下直线包围的多面体内规定，艮P:在图10所示的三维图中，将e点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.5:50at%:30at%)及f点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:70at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将所述f点及g点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.20:90at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将所述g点及h点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将所述h点及i点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:30at。/O连结的直线(含直线上)、将所述i点及j点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:50at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将所述j点及e点连结的直线(含直线上)、将k点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.70:50at%:20at%)及I点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:70at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述l点及m点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:90at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述m点及n点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述n点及o点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述o点及p点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述p点及k点连结的直线(含直线上)、将所述e点及k点连结的直线(含直线上)、将所述f点及l点连结的直线(含直线上)、将所述g点及m点连结的直线(含直线上)、将所述h点及n点连结的直线(含直线上)、将所述i点及o点连结的直线(含直线上)、将所述j点及p点连结的直线(含直线上)。由此，能够更有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)，进而能够抑制特性偏差。本发明中，优选所述固定磁性层为第一固定磁性层和第二固定磁性层夹着非磁性中间层层叠而成的层叠铁氧体构造，所述第二固定磁性层为与所述绝缘阻挡层相接的所述阻挡层侧磁性层。本发明提供一种隧道型磁检测元件的制造方法，该隧道型磁检测元件具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层自下顺序层叠的层叠部分，其中，该制造方法包括:(a)在由CoFeB构成的CoFeB层上层叠由CoFe或Co构成的界面层，形成构成所述固定磁性层的至少一部分的阻挡层侧磁性层的工序；(b)在所述阻挡层侧磁性层上形成由AI—O构成的绝缘阻挡层的工序；(c)在所述绝缘阻挡层上形成所述自由磁性层的工序。本发明中，利用上述制造方法，能够简单且适宜地制造可得到低的RA(元件电阻RX元件面积A)且高的电阻变化率(AR/R)的隧道型磁检测元件。本发明中，优选所述CoFeB层由{CoyFe,—y}h)o-3x(y表示原子比率)形成，B浓度x在大于16at^但在40at^以下的范围内形成。另外，本发明中，更优选所述B浓度x在17.5at^以上35at^以下的范围内形成。此时，优选所述CoFeB层的平均膜厚在图8所示的图中，以将(1)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(17.5at%:1.65nm)、禾卩(2)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(35at%:0.60nm)连结的直线为边界从所述直线到图上方(含直线上)的范围内形成，而且，界面层相对于所述CoFeB层的膜厚比(界面层的平均膜厚/CoFeB层的平均膜厚)在由下述直线包围的范围内调整，在图9所示的图中，将A点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0,00)及B点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:0.70)连结的直线(含直线上。但除A点)、和将上述B点及C点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:1.65)连结的直线(含直线上)、和将上述C点及D点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.43)连结的直线(含直线上)、和将上述D点及上述A点连结的直线(含直线上。但除A点)。另夕卜，优选所述界面层由CozFeK)h形成，且所述CoFeB层的原子比率y和所述界面层的Co浓度z在由如下直线包围的多面体内调整在图10所示的三维图中，将E点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.4:50at%:35at%)及F点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:70at%:35at^)连结的直线(含直线上)、将所述F点及G点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:90at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将所述G点及H点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:35at^)连结的直线(含直线上)、将所述H点及I点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将所述I点及J点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将所述J点及E点连结的直线(含直线上)、将K点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.75:50at%:17.5at%)及L点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:70at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述L点及M点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:90at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述M点及N点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述N点及O点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述O点及P点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将所述P点及K点连结的直线(含直线上)、将所述E点及K点连结的直线(含直线上)、将所述F点及L点连结的直线(含直线上)、将所述G点及M点连结的直线(含直线上)、将所述H点及N点连结的直线(含直线上)、将所述I点及O点连结的直线(含直线上)、将所述J点及P点连结的直线(含直线上)。由此，能够容易且有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。，进而能够制造可抑制特性偏差的隧道型磁检测元件。另外，本发明中，更优选所述B浓度x在20at^以上30at^以下的范围内形成。此时，优选所述CoFeB层的平均膜厚，在图8所示的图中，以将(3)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(20at%:1.5nm)、和(4)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(30at%:0.90nm)连结的直线为边界从所述直线到图上方(含直线上)的范围内形成，而且，界面层相对于所述CoFeB层的膜厚比(界面层的平均膜厚/CoFeB层的平均膜厚)在由下述直线包围的范围内调整，在图9所示的图中，将a点(B浓度x:膜厚比)=(20.0at%:0.10)及b点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:0.50)连结的直线(含直线上)、和将所述b点及c点(B浓度x:膜厚比)二(30at1.30)连结的直线(含直线上)、和将所述C点及d点(B浓度X:膜厚比)二(20at%:0.60)连结的直线(含直线上)、和将所述d点及所述a点连结的直线(含直线上)。另外，优选所述界面层由CozFeux)-z形成，且所述CoFeB层的原子比率y和所述界面层的Co浓度z在由如下直线包围的多面体内调整在图IO所示的三维图中，将e点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.5:50at%:30at%)及f点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:70at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将所述f点及g点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:90at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将所述g点及h点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:卯at^:30at%)连结的直线(含直线上)、将所述h点及i点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:70at%:30at^)连结的直线(含直线上)、将所述i点及j点(原子比率y:CO浓度Z:B浓度X)=(0.9:50at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将所述j点及e点连结的直线(含直线上)、将k点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.70:50at%:20at%〉及l点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:70at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述l点及m点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:90at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述m点及n点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述n点及o点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述o点及p点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0,9:50at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将所述p点及k点连结的直线(含直线上)、将所述e点及k点连结的直线(含直线上)、将所述f点及l点连结的直线(含直线上)、将所述g点及m点连结的直线(含直线上)、将所述h点及n点连结的直线(含直线上)、将所述i点及o点连结的直线(含直线上)、将所述j点及p点连结的直线(含直线上)。由此，能够容易且有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)，进而能够制造可抑制特性偏差的隧道型磁检测元件。另外，本发明中，优选在形成所述绝缘阻挡层时，形成A1层，之后将所述A1层氧化，形成由A1—0构成的所述绝缘阻挡层。或者，也可以在形成所述绝缘阻挡层时，使用A1—0的靶，在所述阻挡层侧磁性层上直接形成由Al—O构成的所述绝缘阻挡层。另外，本发明中，优选在形成所述层叠部分后，进行退火处理。通过退火处理的条件，元素扩散在所述阻挡层侧磁性层的内部产生，可形成B浓度的组成调制区域。本发明中，在将A1—0作为绝缘阻挡层使用的隧道型磁检测元件中，能够得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)，进而能够抑制特性偏差。图1是将本实施例的隧道型磁检测元件从平行于与记录介质对向的面的面切断后的剖面图；图2是将图1所示的第二固定磁性层4c附近放大后的图，特别是表示元素扩散在CoFeB层和界面层的界面产生的局部放大剖面图，是表示B浓度的组成调制的图；图3是将与图2不同的方式的图1所示的第二固定磁性层4c附近放大后的局部放大剖面图，是表示B浓度的组成调制的图；图4是表示本实施例的隧道型磁检测元件的制造方法的一工序图(将制造工序中的上述隧道型磁检测元件从平行于与记录介质对向的面的面切断后的剖面图)；图5是图4之后进行的一工序图(将制造工序中的上述隧道型磁检测元件从平行于与记录介质对向的面的面切断后的剖面图)；图6是图5之后进行的一工序图(将制造工序中的上述隧道型磁检测元件从平行于与记录介质对向的面的面切断后的剖面图)；图7是图6之后进行的一工序图(将制造工序中的上述隧道型磁检测元件从平行于与记录介质对向的面的面切断后的剖面图)；图8是表示CoFeB层的B浓度x和所需的CoFeB层的平均膜厚tl的关系的图；图9是表示CoFeB层的B浓度x和界面层相对于所需的CoFeB层的膜厚比(t2/tl)的关系的图；图10是在由(COyFe卜"咖—xB(x为at%)构成的CoFeB层和由CozFe100，构成的界面层的层叠构造中用于规定所需的原子比率y和Co浓度z的三维图。具体实施方式图1是将本实施例的隧道型磁检测元件(隧道型磁阻效果元件)从平行于与记录介质对向的面的面切断后的剖面图。隧道型磁检测元件设置在设于硬盘装置上的漂浮式滑触头的从动侧端部等处，检测硬盘等记录磁场。或上述隧道型磁检测元件作为MRAM(磁阻存储器)等使用。需要说明的是，图中X方向为轨道宽度方向，Y方向为从磁记录介质泄漏的磁场的方向(高度方向)，Z方向为硬盘等磁记录介质的移动方向及上述隧道型磁检测元件的各层的层叠方向。在图1的最下方形成的是由例如NiFe合金形成的下部屏蔽层21。在上述下部屏蔽层21上形成有层叠体T1。需要说明的是，上述隧道型磁检测元件由上述层叠体Tl、和上述层叠体Tl的轨道宽度方向(图示X方向)两侧形成的下侧绝缘层22、硬偏置(hardbias)层23、上侧绝缘层24构成。上述层叠体T1的最下层为由Ta、Hf、Nb、Zr、Ti、Mo、W中的一种或两种以上的元素等非磁性材料形成的基体层1。在该基体层1上设置籽晶层2。上述籽晶层2例如由NiFeCr形成。若由NiFeCr形成上述籽晶层2，则上述籽晶层具有面心立方构造(fcc)，在与膜面平行的面上优先定向作为{111}面表现的等效的晶面。需要说明的是，上述基体层1也可以不形成。形成于上述籽晶层2上的反强磁性层3优选由含有元素a(其中，a为Pt、Pd、Ir、Rh、Ru、Os中的一种或二种以上的元素)和Mn的反强磁性材料形成。使用这些钼族元素的a—Mn合金的耐腐蚀性优良，且阻塞温度也高，另外，能够增大交换耦合磁场(Hex)等，具有作为反磁性材料优良的特性。另外，上述反强磁性层3也可以由含有元素a和元素a'(其中，元素a，为Ne、Ar、Kr、Xe、Be、B、C、N、Mg、Al、Si、P、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、Cd、Sn、Hf、Ta、W、Re、Au、Pb及稀土类元素中的一种或二种以上的元素)和Mn的反强磁性材料形成。在上述反强磁性层3上形成有固定磁性层4。上述固定磁性层4为自下顺序层叠了第一固定磁性层4a、非磁性中间层4b、第二固定磁性层(阻挡层)4c的层叠铁氧体构造。通过在与上述反强磁性层3的界面的交换耦合磁场和经由非磁性中间层4b的反强磁性的交换耦合磁场(RKKY的相互作用)使上述第一固定磁性层4a和第二固定磁性体层4c的磁化方向彼此为反平行状态。这被称为所谓的层叠铁氧体构造，通过该构造，可使上述固定磁性层4的磁化为稳定的状态，另外，还可以表观地增大在上述固定磁性层4和反强磁性层3的界面产生的交换耦合磁场。需要说明的是，上述第一固定磁性层4a及第二固定磁性层4c例如以1.24.0nm(1240A)形成，非磁性中间层4b以0.8lnm(810A)程度形成。上述第一固定磁性层4a由CoFe、NiFe、CoFeNi等强磁性材料形成。另夕卜，非磁性中间层4b由Ru、Rh、Ir、Cr、Re、Cu等非磁性导电材料形成。在本实施例中，上述第二固定磁性层4c还利用由CoFeB形成的CoFeB层4cl和由CoFe或Co形成的界面层4c2构成。上述固定磁性层4上形成的绝缘阻挡层5由Al—O(氧化铝)形成。上述绝缘阻挡层5的膜厚为0.61.2nm左右。在上述绝缘阻挡层5上形成有自由磁性层6。上述自由磁性层6通过由NiFe合金等磁性材料形成的软磁性层6b、和在上述软磁性层6b和上述绝缘阻挡层5之间由CoFe合金构成的增强层6a构成。上述软磁性层6b优选由软磁特性优良的磁性材料形成，上述增强层6a由自旋极化率比上述软磁性层6b大的磁性材料形成。通过由自旋极化率大的CoFe合金形成上述增强层6a，可提高电阻变化率(AR/R)。需要说明的是，上述自由磁性层6也可以为经由非磁性中间层层叠了多个磁性层的层叠铁氧体构造。另外，由上述自由磁性层6的轨道宽度方向(图示X方向)的宽度尺寸决定轨道宽度Tw。在上述自由磁性层6上形成有由Ta等形成的保护层7。上述层叠体T1的在轨道宽度方向(图示X方向)的两侧端面12由倾斜面形成，以使上述轨道宽度方向的宽度尺寸自下侧至上侧逐渐减小。如图1所示，自在上述层叠体T1两侧扩散的下部籽晶层21上朝上述层叠体Tl的两侧端部12上形成有下侧绝缘层22，在上述下侧绝缘层22上形成有硬偏置层23，进而在上述硬偏置层23上形成有上侧绝缘层24。在上述下侧绝缘层22和上述硬偏置层23之间也可以形成有偏置基体层(未图示)。上述偏置基体层例如由Cr、W、Ti形成。上述绝缘层22、24由"203及Si02等绝缘材料形成，将用于抑制在上述层叠体Tl内沿与各层的界面垂直的方向流过的电流在上述层叠体Tl的轨道宽度方向两侧分流的上述硬偏置层23的上下绝缘。上述硬偏置层23例如由Co—Pt(钴一铂)合金及Co—Cr—Pt(钴一铬一铂)合金等形成。在上述层叠体Tl上及上侧绝缘层24上形成有由NiFe合金等形成的上部籽晶层26。在图1所示的实施例中，上述下部籽晶层21及上部籽晶层26相对于上述层叠体T1作为电机层起作用，且相对于上述层叠体T1的隔膜的膜面在垂直的方向(与图示Z方向平行的方向)流过电流。上述自由磁性层6接受来自上述硬偏置层23的偏置磁场，将其在与轨道宽度方向(图示X方向)平行的方向磁化。另一方面，构成固定磁性层4的第一固定磁性层4a及第二固定磁性层4c在与高度方向(图示Y方向)平行的方向被磁化。由于上述固定磁性层4为层叠铁氧体构造，故第一固定磁性层4a和第二固定磁性层4c分布反平行地被磁化。上述固定磁性层4的磁化虽然被固定(通过外部磁场使磁化不变)，但上述自由磁性层6的磁化因外部磁场而变动。当上述自由磁性层6应外部磁场而磁化变动时，在第二固定磁性层4c和自由磁性层6的磁化为反平行时，经由设于上述第二固定磁性层4c和自由磁性层6之间的绝缘阻挡层5难以流过隧道电流，从而电阻值成为最大，另一方面，在上述第二固定磁性层4c和自由磁性层6的磁化为平行时，上述隧道电流最容易流动，从而电阻值成为最小。利用该原理，受外部磁场的影响，自由磁性层6的磁化变动，由此，将变化的电阻用作电压变化，检测来自记录介质的泄漏磁场。对图1的实施例的特征部分进行说明。图1中，上述绝缘阻挡层5由Al—O(氧化铝)形成。形成于上述绝缘阻挡层5之下的构成固定磁性层4的第二固定磁性层4c与上述绝缘阻挡层5相接而形成，上述第二固定磁性层4c进而通过由CoFeB形成的CoFeB层4cl、和位于上述CoFeB层4cl和上述绝缘阻挡层5之间且由CoFe或Co形成的界面层4c2形成。通过设为上述构成，根据后述的试验可知，与由CoFeB单层形成上述第二固定磁性层4c的现有例、及将上述CoFeB层4cl和界面层4c2反层叠的参考例相比，得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。另外，还可抑制RA及电阻变化率(AR/R)的特性偏差。由此，即使为窄轨道化也能够得到高的头输出，且能够实现成品率高且可靠性优良的隧道型磁检测元件。如本实施例，推测为，通过在CoFeB层4cl和绝缘阻挡层5之间插入由CoFe或Co构成的界面层4c2，从而在与上述绝缘阻挡层5的界面附近的B元素的浓度低而成为适当的浓度，因而自旋极化率提高，且在离开与上述绝缘阻挡层5的界面的下层因B元素的存在而容易无定形，由于有平坦化效果的CoFeB层4cl存在，从而得到足够的平坦化效果，因此，绝缘阻挡层5的膜品质得以改善，得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。另外，在本实施例中，上述CoFeB层4cl由(CoyFe卜y}1()()—XBX(y为由(Co浓度at%}/(Co浓度+Fe浓度at%)表示的原子比率)形成，B浓度x优选大于16at。Z在40at%以下的范围内。如现有情况，在由CoFeB的单层构造形成上述第二固定磁性层4c的情况下，若设B浓度为约16at%，则通过后述的试验可知，可降低RA且提高电阻变化率(R/R)。在本实施例中，在离开绝缘阻挡层5的CoFeB层4cl上，将B浓度设为高于16at%，促进无定形化，使第二固定磁性层4c的平坦性提高，另一方面，不在与绝缘阻挡层5相接的界面层4c2中添加B，而将在与上述绝缘层5的界面附近的B元素的浓度降低到适当，由此使自旋极化率提高。由此，与目前相比，能够有效地降低RA且提高电阻变化率(AR/R)。另外，与目前相比，能够抑制RA及电阻变化率(AR/R)的特性偏差。另外，在本发明中，更优选上述B浓度x在17.5at^以上35at^以下的范围内此时，上述CoFeB层4cl的平均膜厚优选在图8所示的图中，以将(1)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(17.5at%:1.65nm)、禾B(2)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(35at%:0.60nm)连结的直线为边界从上述直线到图上方(含直线上)的范围内。而且，界面层4c2相对于上述CoFeB层4cl的膜厚比(界面层4c2的平均膜厚/CoFeB层4cl的平均膜厚)优选在由下述直线包围的范围内，在图9所示的图中，将A点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0,00)及B点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:0.70)连结的直线(含直线上。但除A点)、和将上述B点及C点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:1.65)连结的直线(含直线上)、和将上述C点及D点(B浓度x:膜厚比)二(17.5at%:0.43)连结的直线(含直线上)、和将上述D点及上述A点连结的直线(含直线上。但除A点)。另外，在上述B浓度x为17.5atX以上35at^以下的范围内时，上述CoFeB层4cl的原子比率y和由0^61()()-2形成的上述界面层4c2的Co浓度z优选在由如下直线包围的多面体内规定在图IO所示的三维图中，将E点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0,4:50at%:35at%)及F点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:70at%:35at。/0连结的直线(含直线上)、将上述F点及G点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:90at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将上述G点及H点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:35站％)连结的直线(含直线上)、将上述H点及I点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)-(0.9:70at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将上述I点及J点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将上述J点及E点连结的直线(含直线上)、将K点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.75:50at%:17.5atX)及L点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:70at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述L点及M点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:90at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述M点及N点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述N点及O点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述O点及P点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:50at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述P点及K点连结的直线(含直线上)、将上述E点及K点连结的直线(含直线上)、将上述F点及L点连结的直线(含直线上)、将上述G点及M点连结的直线(含直线上)、将上述H点及N点连结的直线(含直线上)、将上述I点及O点连结的直线(含直线上)、将上述J点及P点连结的直线(含直线上)。根据后述的试验可知，对于得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)最佳的CoFeB层的绝对膜厚及界面层4c2相对于CoFeB层4cl的膜厚比由于B浓度x变动。在上述B浓度x为17.5at^以上35at^以下的范围内时，通过如上限制CoFeB层4cl的平均膜厚及界面层4c2相对于CoFeB层4cl的膜厚比，可有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。另外，在图10所示的三维图中，优选将上述E点和I点直线连结(含直线上)、将K点和O点直线连结(含直线上)。即，在上述B浓度x为17.5at^以上35at^以下的范围内时，上述CoFeB层4cl的原子比率y和由CozFeu)。i形成的上述界面层4c2的Co浓度更优选在由如下直线包围的多面体内规定在图10所示的三维图中，将E点及I点连结的直线(含直线上)、将上述E点及F点连结的直线(含直线上)、将上述F点及G点连结的直线(含直线上)、将上述G点及H点连结的直线(含直线上)、将上述H点及I点连结的直线(含直线上)、将K点及O点连结的直线(含直线上)、将K点及L点连结的直线(含直线上)、将上述L点及M点连结的直线(含直线上)、将上述M点及N点连结的直线(含直线上)、将上述N点及O点连结的直线(含直线上)、将上述E点及K点连结的直线(含直线上)、将上述F点及L点连结的直线(含直线上)、将上述G点及M点连结的直线(含直线上)、将上述H点及N点连结的直线(含直线上)、将上述I点及O点连结的直线(含直线上)。由此，能够有效地抑制RA及电阻变化率(AR/R)的特性偏差。另夕卜，在本实施例中，上述B浓度x更优选在20atX以上30at^以下的范围内。此时，上述CoFeB层4cl的平均膜厚优选在图8所示的图中，以将(3)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(20at%:1.5nm)、和(4)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(30at%:0.90nm)连结的直线为边界从上述直线到图上方(含直线上)的范围内。而且，界面层4c2相对于上述CoFeB层4cl的膜厚比(界面层4c2的平均膜厚/CoFeB层4cl的平均膜厚)优选在由下述直线包围的范围内，在图9所示的图中将a点(B浓度x:膜厚比)=(20.0at%:0.10)及b点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:0.50)连结的直线(含直线上)、和将上述b点及c点(B浓度x:膜厚比)二(30at%:1.30)连结的直线(含直线上)、和将上述c点及d点(B浓度x:膜厚比)=(20at%:0.60)连结的直线(含直线上)、和将上述d点及上述a点连结的直线(含直线上)。再有，在上述B浓度x为20at^以上30at^以下的范围内时，上述CoFeB层4cl的原子比率y和由CozFe1Q()—2形成的上述界面层4c2的Co浓度z优选在由如下直线包围的多面体内规定在图IO所示的三维图中，将e点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.5:50at%:30at%)及f点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:70at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述f点及g点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:90at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述g点及h点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述h点及i点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x〉=(0.9:70at%:30at°/O连结的直线(含直线上)、将上述i点及j点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述j点及e点连结的直线(含直线上)、将k点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.70:50at%:20at%)及l点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:70at%:20atO/O连结的直线(含直线上)、将上述l点及m点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:90at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述m点及n点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述n点及o点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述o点及p点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述p点及k点连结的直线(含直线上)、将上述e点及k点连结的直线(含直线上)、将上述f点及l点连结的直线(含直线上)、将上述g点及m点连结的直线(含直线上)、将上述h点及n点连结的直线(含直线上)、将上述i点及o点连结的直线(含直线上)、将上述j点及p点连结的直线(含直线上)。通过如上那样规定，能够有效地得到低的RA且高的电阻变化率(△R/R)。另外，在图IO所示的三维图中，优选将上述e点和i点直线连结(含直线上)、将k点和o点直线连结(含直线上)。即，在上述B浓度x为20at。/^以上30at^以下的范围内时，上述CoFeB层4cl的原子比率y和由COzFeu)。-z形成的上述界面层4c2的Co浓度更优选在由如下直线包围的多面体内规定在图10所示的三维图中，将e点及i点连结的直线(含直线上)、将上述e点及f点连结的直线(含直线上)、将上述f点及g点连结的直线(含直线上)、将上述g点及h点连结的直线(含直线上)、将上述h点及i点连结的直线(含直线上)、将k点及o点连结的直线(含直线上)、将k点及1点连结的直线(含直线上)、将上述1点及m点连结的直线(含直线上)、将上述m点及n点连结的直线(含直线上)、将上述n点及o点连结的直线(含直线上)、将上述e点及k点连结的直线(含直线上)、将上述f点及l点连结的直线(含直线上)、将上述g点及m点连结的直线(含直线上)、将上述h点及n点连结的直线(含直线上)、将上述i点及o点连结的直线(含直线上)。由此，能够有效地抑制RA及电阻变化率(AR/R)的特性偏差。需要说明的是，上述第二固定磁性层4c的整体膜厚优选4nm以下。若加厚上述第二固定磁性层4c的膜厚，则固定磁性层4的磁化固定力会降低而可能使其特性劣化，因此，上述第二固定磁性层4最大优选4nm的平均膜厚。另外，在本实施例中，如上所述，通过规定CoFeB层4cl的平均膜厚，可降低上述固定磁性层4和自由磁性层6之间的拓扑(topological)的精磁耦合引起的层减耦合磁场Hin。层减耦合磁场Hin的降低意味着上述第二固定磁性层4c和绝缘阻挡层5的界面的平坦性提高。如上所述，在本实施例中，与目前相比，可不降低电阻变化率(AR/R)而得到低的RA。上述RA对于高速数据传输的适宜化、高记录密度化等是极其重要的值，需要设定为低的值。在本实施例中，可设定为比现有例的RA小的值。具体而言，可将RA设定为比现有例的5.8Qum2小的值，具体而言，与现有例相比，可减小RA为0.40.81^1112左右。隧道型磁检测元件如后述，在制造工序中实施退火处理(热处理)。退火处理例如以240310'C左右的温度进行。该退火处理为在构成固定磁性层4的第一固定磁性层4a和上述反强磁性层3之间用于使交换耦合磁场(Hex)的磁场中退火处理等。即使上述退火处理的温度在低于24(TC的温度或240'C31(rC的范围内，若退火时间不到1小时，则在上述界面层'4c2和CoFeB层4cl的界面的构成元素的相互扩散也不会产生，或即使相互扩散产生也是小规模的(例如在界面的整个区域不产生扩散而间歇地产生等)，考虑大致确保界面的状态。另一方面，若上述退火处理的温度为31(TC以上或退火温度为240'C31(TC的范围内且退火时间为1小时以上，则如图2或图3所示，认为构成元素的相互扩散在界面层4c2和CoFeB层4cl的界面产生，上述界面不存在，而形成B浓度的组成调制区域。在图2所示的实施例中，元素扩散在界面层4c2和CoFeB层4cl的界面产生，上述第二固定磁性层4c通过由CoFeB形成的CoFeB区域10、由位于上述CoFeB区域10和上述绝缘阻挡层5之间的CoFe或Co形成的界面区域ll构成。如图2所示，在上述界面区域11不含B。如图2的右图所示，在上述CoFeB区域10存在B浓度自下面侧(与非磁性中间层4b相接的界面侧)朝上述界面区域11逐渐减少的组成调制区域。另外，在上述CoFeB区域10的下面附近，B浓度比其内部侧低，这是因在与非磁性中间层4b之间的元素扩散而降低的区域。另一方面，在图3所示的实施例中，上述第二固定磁性层4c整体由CoFeB形成，但就B浓度而言，与上述绝缘阻挡层5相接的上面侧比与上述非磁性中间层4b相接的下面侧小。另外，如图3所示，在上述第二固定磁性层4c上存在B浓度自与上述非磁性中间层4b相接的下面侧朝与上述绝缘阻挡层5相接的上面侧逐渐降低的组成调制区域。另外，如图3所示，在上述第二固定磁性层4c的下面附近，B浓度比其内部侧低，这是因在与非磁性中间层4b之间的元素扩散而降低的区域。这样，在离开上述绝缘阻挡层5的下面侧，B浓度高，且容易成为无定形且成为平坦，由此实现上述绝缘阻挡层5的均匀性的提高、气泡等缺陷的减少、品质的改善，在与上述绝缘阻挡层5相接的上面侧，由于B浓度低且将其调整为适当的浓度，从而可将自旋极化率设为最大，如上推测为得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)，且它们的偏差也减小。另外，在图l所示的实施例中，上述固定磁性层4为第一固定磁性层4a、非磁性中间层4b及第二固定磁性层4c的层叠铁氧体构造，但例如上述固定磁性层4即使为一层或层叠了多个磁性层的构造，也可以应用本发明。但是，若为以上述固定磁性层4为层叠铁氧体构造的构造，则可更适宜地进行上述固定磁性层4的磁化固定，对于实现再生输出的提高方面优选。对本实施例的隧道型磁检测元件的制造方法进行说明。图4图7是将制造工序中的隧道型磁检测元件自与图1相同的方向切断的局部剖面图。在图4所示的工序中，在下部籽晶层21上连续地成膜基体层1、籽晶层2、反强磁性层3、第一固定磁性层4a、非磁性中间层4b、及第二固定磁性层4c。例如将各层喷溅成膜。在本实施例中，如图4所示，将上述第二固定磁性层4c自下顺序在由CoFeB形成的CoFeB层4cl及由CoFe或Co形成的界面侧4c2上形成。此时，上述CoFeB层4cl由(Co,-yFey)咖-xBx构成，将B浓度x设为大于16at^但在40at^以下形成，在得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)方面是优选的。另外，在本实施例中，更优选上述B浓度x在17.5at^以上35at^以下的范围内形成。此时，上述CoFeB层4cl的平均膜厚优选在图8所示的图中，以将(1)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)二(17.5at%:1.65nm)、和(2)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(35at%:0.60nm)连结的直线为边界从上述直线到图上方(含直线上)的范围内。而且，界面层4c2相对于上述CoFeB层4cl的膜厚比(界面层4c2的平均膜厚/CoFeB层4cl的平均膜厚)优选在由下述直线包围的范围内，在图9所示的图中，将A点(B浓度x:膜厚比)二(17.5at%:0.00)及B点(B浓度x:膜厚比)二(35at%:0.70)连结的直线(含直线上。但除A点)、和将上述B点及C点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:1.65)连结的直线(含直线上)、和将上述C点及D点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.43)连结的直线(含直线上)、和将上述D点及上述A点连结的直线(含直线上。但除A点)。另夕卜，在将上述B浓度x在17,5at^以上35at^以下的范围内形成时，上述CoFeB层4cl的原子比率y和由CozFe1()()—2形成的上述界面层4c2的Co浓度z优选在由如下直线包围的多面体内规定在图10所示的三维图中，将E点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.4:50at%:35at%)及F点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:70at%:35at^)连结的直线(含直线上)、将上述F点及G点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:90at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将上述G点及H点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:35at^)连结的直线(含直线上)、将上述H点及I点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:70at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将上述I点及J点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:35at%)连结的直线(含直线上)、将上述J点及E点连结的直线(含直线上)、将K点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.75:50at%:17.5at%)及L点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:70at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述L点及M点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:90at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述M点及N点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述N点及O点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:70at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述O点及P点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:17.5at%)连结的直线(含直线上)、将上述P点及K点连结的直线(含直线上)、将上述E点及K点连结的直线(含直线上)、将上述F点及L点连结的直线(含直线上)、将上述G点及M点连结的直线(含直线上)、将上述H点及N点连结的直线(含直线上)、将上述I点及O点连结的直线(含直线上)、将上述J点及P点连结的直线(含直线上)。另外，在本实施例中，更优选在20at^以上30atQ/^以下的范围内形成上述B浓度x。此时，上述CoFeB层4cl的平均膜厚优选在图8所示的图中，以将G)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(20at%:1.5nm)、和(4)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(30at%:0.90nm)连结的直线为边界从上述直线到图上方(含直线上)的范围内。而且，界面层4c2相对于上述CoFeB层4cl的膜厚比(界面层4c2的平均膜厚/CoFeB层4cl的平均膜厚)优选在由下述直线包围的范围内，在图9所示的图中，将a点(B浓度x:膜厚比)=(20,0at%:0.10)及b点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:0.50)连结的直线(含直线上)、和将上述b点及c点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:1.30)连结的直线(含直线上)、和将上述c点及d点(B浓度x:膜厚比)=(20at%:0.60)连结的直线(含直线上)、和将上述d点及上述a点连结的直线(含直线上)。再有，上述B浓度x在20at^以上30at^以下的范围内形成时，上述CoFeB层4cl的原子比率y和由CozFe1W)—2形成的上述界面层4c2的Co浓度z优选在由如下直线包围的多面体内规定在图10所示的三维图中，将e点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.5:50at%:30at%)及f点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:70at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述f点及g点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:90at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述g点及h点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述h点及i点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述i点及j点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:30at%)连结的直线(含直线上)、将上述j点及e点连结的直线(含直线上)、将k点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.70:50at%:20at%)及l点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:70at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述l点及m点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:90at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述m点及n点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述n点及o点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述o点及p点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:20at%)连结的直线(含直线上)、将上述p点及k点连结的直线(含直线上)、将上述e点及k点连结的直线(含直线上)、将上述f点及l点连结的直线(含直线上)、将上述g点及m点连结的直线(含直线上)、将上述h点及n点连结的直线(含直线上)、将上述i点及o点连结的直线(含直线上)、将上述j点及p点连结的直线(含直线上)。由此，能够容易且适宜地制造降低RA且提高电阻变化率(厶R/R)、而且特性偏差小的隧道型磁检测元件。其次，对上述第二固定磁性层4c的表面实施等离子处理。上述等离子处理为提高上述第二固定磁性层4c的表面平坦性而进行，但如本实施例，在平坦性优良的CoFeB层4cl上层叠了薄的膜厚的界面层4c2的构造中，上述第二固定磁性层4c的表面平坦性本来就处于优良的状态，因此，进行上述等离子处理是任意的。其次，在上述第二固定磁性层4c上形成由Al—O构成的绝缘阻挡层5。在本实施例中，在上述第二固定磁性层4c上喷溅成膜Al膜，将上述Al膜氧化，形成由A1—0构成的绝缘阻挡层5。作为氧化方法，可列举自由基氧化、离子氧化、等离子氧化或自然氧化等。在本实施例中，以0,20.6nm左右的膜厚形成上述Al层。另外，也可以准备由A1—0构成的耙，由RF溅射法等直接形成由Al—0构成的绝缘阻挡层5。其次，在图5所示的工序中，在上述绝缘阻挡层5上成膜由增强层6a及软磁性层6b构成的自由磁性层6、及保护膜7。在本实施例中，优选由Fe组成比为5at^90at^的CoFe形成上述增强层6a。另外，优选由Ni组成比为78at^96at^的范围内的NiFe合金形成Ni上述软磁性层6b。如上形成从基体层1层叠到保护层7的层叠体T1。其次，在上述层叠体T1上形成剥离用抗蚀层30，通过蚀刻等除去未被上述剥离用抗蚀层30覆盖的上述层叠体T1的轨道宽度方向(未图示)的两侧端部(参照图6)。其次，在上述层叠体T1的宽度方向(图示X方向)的两侧即上述下部籽晶层21上，自下顺序层叠下侧绝缘层22、硬偏置层23、及上侧绝缘层24(参照图7)。而且，将上述剥离用抗蚀层30除去，在上述层叠体Tl及上述上侧绝缘层24上形成上部籽晶层26。在上述的隧道型磁检测元件的制造方法中，其形成过程中含有退火处理。代表的退火处理是用于使交换耦合磁场(Hex)在上述反强磁性层3和第一固定磁性层4a间产生的退火处理。在上述退火温度为低于240'C的温度或在24(TC31(rC的范围内，若退火时间不到1小时，则在各层的界面的构成元素的相互扩散也不会产生，或即使产生也是小规模的(例如在界面的整个区域不产生扩散，而间歇地产生等)，考虑大致确保界面的状态。另一方面，若上述退火处理的温度为310°C以上或退火温度为240°C31(TC的范围内且退火时间为1小时以上，则认为构成元素的相互扩散在界面层的界面产生，通过这样的相互扩散，在上述第二固定磁性层4c内部，如图2及图3所示，认为没有CoFeB层4cl和界面层4c2的界面，而产生B浓度的组成调制区域。在本实施例中，通过上述制造方法，能够得到低的RA(元件电阻RX元件面积A)且高的电阻变化率(AR/R)，进而可简单且适宜地制造特性偏差小的隧道型磁检测元件。特别是如上所述，通过调整第二固定磁性层4c的材质及膜厚，与由CoFeB单层形成上述第二规定磁性层4c的现有例及将构成上述第二固定磁性层4c的CoFeB层4cl和界面层4c2反向层叠的参考例相比，能够有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。另外，还能够有效地抑制RA及电阻变化率(AR/R)的特性偏差。要形成具有图2、图3所示的B浓度的组成调制区域的第二固定磁性层4c，除上述的制造方法之外，还可以准备多个B浓度不同的Co—Fe—B的靶，变更上述靶同时喷溅成膜上述第二固定磁性层4c，以使B浓度随着从上述第二固定磁性层4c的下面侧朝向上面侧而逐渐变小。(实施例)(规定CoFeB层4cl的B浓度x的试验)自下将基板/基体层l;Ta(3)/籽晶层2;(Ni0.8Fe0.2)60at%Cr40at%(5)反强磁性层3;IrMn(7)/固定磁性层4[第一固定磁性层4a;Co7。at%Fe3()at%(1.4)/非磁性中间层4b;Ru(0.9)/第二固定磁性层4c(1.8)]/绝缘阻挡层5;Al—0/自由磁性层6[增强层6a;Co歸Fe腳(1)/软磁性层6b;Ni85at%Fe15at%(5)]/保护层7[Ru(2)/Ta(27)]按顺序层叠。需要说明的是，括号内的数值表示平均膜厚，单位为nm。在形成膜厚0.43nm的Al层后，将上述Al层氧化而形成上述绝缘阻挡层5。另外，在形成上述绝缘阻挡层5之前将上述第二固定磁性层4c的表面进行等离子处理。在试验中，作为第二固定磁性层4c，分别形成单层构造l(现有例)、层叠构造l、层叠构造2(专利文献所示的层叠构造；参考例)，其中，单层构造1由(Co0.75Fea25}100-XBX(tl)构成，层叠构造1通过自下将{CoQ.75FeQ.25}XBX(tl)、Co75at%Fe25at%(t2)按顺序层叠而成，层叠构造2通过将Co75at%Fe25at%(t2)、{Coa75FeQ.25}咖—XBX(tl)按自下的顺序层叠而成。需要说明的是，B浓度x为at。丄平均膜厚tl、t2都为nm，第二固定磁性层4c的整体膜厚调整为1.8nm。在试验中，相对于具有上述构造的第二固定磁性层4c的各隧道型磁检测元件求取RA及电阻变化率(AR/R)。表l表示该试验结果。表1第二固定磁性层RA△R/R<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>如表1所示，可知在单层构造1(现有例)中，通过设B浓度为约16at%，可得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。在层叠构造体l中，在设B浓度x为16at^时，与现有的单层构造l相对比，可知RA的降低效果及电阻变化率(AR/R)的增大效果不那么明显。另一方面，当使B浓度x大于16at^时，可知将RA设为低的值，且增大电阻变化率(AR/R)。另外，在将与层叠构造l的层叠顺序设为了相反的层叠构造2(参考例)中，RA成为低的值，但电阻变化率(AR/R)减少，而不能得到增大效果。上述试验中使用的层叠体是所谓的(3膜，但在以下的试验中，将与上述相同的层叠体(其中，也含有第一固定磁性层4a及第二固定磁性层4c的膜厚不同的试样)加工成图l所示的隧道型磁阻效果元件的形状，求取RA及电阻变化率(AR/R)的特性偏差。在试验中，分别制造80个表1所示的单层构造1(现有例)中的B浓度x为为16at^的隧道型磁检测元件，层叠构造l中的B浓度x为20atX且CoFeB层4cl的平均膜厚(tl)等不同的三种隧道型磁检测元件、隧道构造1中的B浓度x为30atX且CoFeB层4cl的平均膜厚(tl)等不同的三种隧道型磁检测元件，测定RA及电阻变化率(AR/R)的平均值及特性偏差。需要说明的是，将各元件的轨道宽度Tw统一为0.085um，将高度长度统一为0.4um。另外，由(d/Ave(%))得到特性偏差。cr为标准偏差，Ave表示RA及电阻变化率(AR/R)的各平均值。下表2表示试验结果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>如表2所示，可知与由CoFeB,6^形成第二固定磁性层4c的单层构造相比，将上述第二固定磁性层4c自下按CoFeB、CoFe的顺序层叠的本实施例一方可降低RA(平均值)且可提高电阻变化率(AR/R)(平均值)，同时可减小RA及电阻变化率(AR/R)的特性偏差。另外，对于将上述第二固定磁性层4c自下按CoFeB2。^、CoFe的顺序层叠的本实施例的试验而言，如下所示，进而也按其它方式形成，尝试RA及电阻变化率(AR/R)的试验。将图1所示的隧道型磁检测元件的层叠体T1自下按基体层1;Ta(3)/籽晶层2;(Nio.98Fea2)6oat%Cr4()at%(5)/反强磁性层3;IrMn(7)個定磁性层4[第一固定磁性层4a;Co7oat%Fe3。at%(1.4)/非磁性中间层4b;Ru(0.9)/第二固定磁性层4c;(1.8)]/绝缘阻挡层5;A1—0/自由磁性层6[增强层6a;Co5Dat%Fe5()at%(1)/软磁性层；Ni84at%Fe16at%(5)]/保护层7[Ru(1)/Ta(28)]的顺序层叠。需要说明的是，括号内的数值表示平均膜厚，单位为nm0在形成膜厚0.46nrn的AI层后，将上述Al层氧化而形成上述绝缘阻挡层5。另外，在形成上述绝缘阻挡层5之前，将上述第二固定磁性层4c的表面实施等离子处理。在试验中，形成如下构造作为第二固定磁性层4c。(单层构造2;现有例)(Co0.75Fe0.25)80at%B20at%(tl)的单层构造(层叠构造3)自下按顺序层叠(Co0.75Fe0.25)80at%B20at%(tl)/Co，Fe10at%(t2)的构造(层叠构造4)自下按顺序层叠(Co0.75Fe0.25)8醇B歸(tl)/Co70at%Fe30at%(t2)的构造(层叠构造5)自下按顺序层叠(Co0.75Fe0.25)80at%B20at%(tl)/Co50at%Fe5,(t2)的构造(层叠构造6)自下按顺序层叠(Co0.75Fe0.25)80at%B20at%(tl)/Co30at%Fe7,(t2)的构造(层叠构造7)自下按顺序层叠(CO0.75Fe0.25),B腳"I)/Fe(t2)的构造(层叠构造8)自下按顺序层叠(Co0.75Fe0.25)8,B2,(tl)/Co(t2)的构造(层叠构造9;参考例)自下按顺序层叠Co70awFe3ow(t2)/(Co0.75Fe0.25),B扉(tl)的构造上述各构造的括号内表示膜厚，单位为nm。试验中，测定具有这些构造的第二固定磁性层4c的各隧道型磁检测元件的RA及电阻变化率(AR/R)。下表表示其试验结果。表3(CoO.75FeO.25)80B20(tlnm)单层单层构造2(现有例)(CoO.75FeO.25)80B20(tlnm)/Co90Fel0(t2nm)层叠层叠构造3(CoO.75FeO.25)80B20(tlnm)/Co70Fe30(t2nm)层叠层叠构造4(CoO.75FeO.25)80B20(tlnm)/Co50Fe50(t2nm)层叠层叠构造5(CoO.75FeO.25)80B20(tlnm)/Co30Fe70(t2nm)层叠层叠构造6(CoO.75FeO.25)80B20(tlnm)/Fe(t2nm)层叠层叠构造7(CoO.75FeO.25)80B20(tlnm)/Co(t2nm)层叠层叠构造8Co70Fe30(t2nm)/(CoO.75FeO.25)80B20(tlnm)层叠层叠构造9(参考例)<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>根据以上表1表3所示的试验结果，将第二固定磁性层4c自下按CoFeB层4cl、由CoFe或Co构成的界面层4c2的顺序层叠，而且，将B浓度x设为大于16at^在40at^以下。另外，将B浓度x的更优选范围设为17.5at%以上35at%以下。将更优选的范围设为20at%以上30at%以下。(规定CoFeB层4cl的平均膜厚和界面层4c2相对于CoFeB层4cl的膜厚比的试验)自下将基板/基体层l;Ta(3)/籽晶层2;(Nia8Fea2)60at%Cr4()al%(5)反强磁性层3;IrMn(7)/固定磁性层4[第一固定磁性层4a;Co7()at%Fe30at%(1.4)/非磁性中间层4b;Ru(0.9)/第二固定磁性层4c;{(Co0.75Fe0.25)8,B2()at%(tl)/Co75at%Fe25at%(t2))]/绝缘阻挡层5;Al—0/自由磁性层6[增强层6a;Co郝Fe麵(1)/软磁性层6b;Ni85at%Fe15aw(5)]/保护层7[Ru(2)/Ta(27)]按顺序层叠。需要说明的是，括号内的数值表示平均膜厚，单位为nm。在形成膜厚0.43nm的Al层后，将上述Al层氧化而形成上述绝缘阻挡层5。另外，在形成上述绝缘阻挡层5之前将上述第二固定磁性层4c的表面进行等离子处理。需要说明的是，上述层叠体为(3膜。在试验中，使构成第二固定磁性层4c的(Coo.7sFeo.25)8醇82醇的平均膜厚tl、及C07^Fe25w的平均膜厚t2变化，调查上述平均膜厚tl、t2和RA的关系、及上述平均膜厚tl、t2和电阻变化率(AR/R)的关系。下表4、及表5表示该试验结果。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>通过选择在由表4及表5所示的粗框包围的范围内的平均膜厚tl、t2，可得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。从在由表4及表5所示的粗框包围的范围内的平均膜厚tl、t2求取界面层4c2的平均膜厚t2相对于CoFeB层4cl的平均膜厚tl的膜厚比(t2/tl).下表6表示该结果。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>其次，自下将基板堪体层l;Ta(3)術晶层2;(M0.8Fe0.2)60at%Cr4。at%(5)反强磁性层3;IrMn(7)/固定磁性层4[第一固定磁性层4a;Co7()at%Fe3()at%(1.4)/非磁性中间层4b;Ru(0.9)/第二固定磁性层4c;{(Co0.75Fe0.25)80at%B2,(tl)/Co75at%Fe25at%"2)}]/绝缘阻挡层5;A1—0/自由磁性层6[增强层6a;Co50at%Fe50at%(1)/软磁性层6b;Ni85at%Fe15at%(5)]/保护层7[Ru(2)/Ta(27)]按顺序层叠。需要说明的是，括号内的数值表示平均膜厚，单位为nm。在形成膜厚0.43nm的Al层后，将上述Al层氧化而形成上述绝缘阻另外，在形成上述绝缘阻挡层5之前将上述第二固定磁性层4c的表面进行等离子处理。需要说明的是，上述层叠体为P膜。在试验中，使构成第二固定磁性层4C的(COo.75Feo.25)7,B3醇的平均膜厚tl、及Co7娜Fe2^的平均膜厚t2变化，调查上述平均膜厚tl、t2和RA的关系、及上述平均膜厚tl、t2和电阻变化率(AR/R)的关系。下表7、及表8表示该试验结果。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>表8<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>通过选择在由表7及表8所示的粗框包围的范围内的平均膜厚tl、t2，可得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。由表7及表8所示的粗框包围的范围的试样与例如表1所示的单层构造1的试样相比较时，与单层构造1相比，可降低RA提高电阻变化率(AR/R)。从在由表7及表8所示的粗框包围的范围内的平均膜厚tl、t2求取界面层4c2的平均膜厚t2相对于CoFeB层4cl的平均膜厚tl的膜厚比(t2/tl).下表9表示该结果。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>为得到低RA及高AR/R，由表4表9可知如下。艮卩，在设CoFeB层4cl的B浓度x为20at^时，由表4及表5可知，只要将CoFeB层4cl的平均膜厚tl设为1.5nm以上即可。另外，在设CoFeB层4cl的B浓度x为30at^时，由表7及表8可知，只要将CoFeB层4cl的平均膜厚tl设为0.9nm以上即可。另外，在设CoFeB层4cl的B浓度x为20at^时，由表6可知，只要将膜厚比(t2/tl)设为0.10.6的范围即可。另外，在设CoFeB层4cl的B浓度x为30at^时，由表9可知，只要将膜厚比(t2/tl)设为0.51.3的范围即可。图8是表示B浓度x和CoFeB层4cl的平均膜厚tl的关系的图。图8上所示的(3)点表示将B浓度x设为20at^时的所需要的CoFeB层4cl的最低膜厚(1.5nm)，(4)点表示将B浓度x设为30at^时的所需要的CoFeB层4cl的最低膜厚(0.9nm)。图8中(1)点是(B浓度x:CoFeB层4cl的平均膜厚tl)=(17.5at%:1.65nm)，图8中(2)点是(B浓度x:CoFeB层4cl的平均膜厚tl)=(355at%:1.65nrn)，上述(1)点及(2)点是将(3)点及(4)点连结的直线延长而求取的点。图9表示B浓度x和界面层4c2相对于CoFeB层4cl的膜厚比(t2/t2)的关系。图9所示的a点表示B浓度x为20at^时的最小膜厚比(t2/tl)(0.10)，b点表示B浓度x为30at^时的最小膜厚比(t2/tl)(0.50)，c点表示B浓度x为20at^时的最大膜厚比(t2/tl)(1.30)，d点表示B浓度x为20at%时的最大膜厚比(t2/tl)(0.60)。图9所示的A点是(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.00)，B点是(B浓度x:膜厚比)=(35at%:0.70)，C点是(B浓度x:膜厚比)=(35at%:1.65)，D点是(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.43)，A点及B点通过将连结a点和b点的直线延长而求取于，C点及D点通过将连结c点和d点的直线延长而求取。B浓度x、和所需的CoFeB层4cl的平均膜厚(tl)、及最小及最大膜厚比(t2/tl)入下表10所示，表10<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>如图8所示，在设B浓度为17.5at^35atO/^时，将CoFeB层4cl的平均膜厚tl设为图8的图上连结(1)点和(2)点的直线的图上方(含直线)的范围。而且，如图9所示，在设B浓度为17.5at%35at%时，将膜厚比(t2/tl)设定在由如下直线包围的范围，即，连结A点和B点的直线(含直线上，但除A点)，连结B点和C点的直线(含直线上)，连结C点和D点的直线(含直线上)，连结D点和A点的直线(含直线上，但除A点)。由此，在设B浓度x为17.5at^35at^时，能够有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。另夕卜，在设B浓度x为20at^30at^时，将CoFeB层4cl的平均膜厚tl设为图8的图上连结(3)点和(4)点的直线的图上方(含直线)的范围。而且，如图9所示，在设B浓度为20at^30at^时，将膜厚比(t2/tl)设定在由如下直线包围的范围，即，连结a点和b点的直线(含直线上)，连结b点和c点的直线(含直线上)，连结c点和d点的直线(含直线上)，连结d点和a点的直线。由此，在设B浓度x为20at^30at^时，能够有效地得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。其次，自下将基板/基体层1;Ta(3)/籽晶层2;(Ni0.8Fe0.2)60at%Cr40at%(5)反强磁性层3;I她(7)/固定磁性层4[第一固定磁性层4a;Co窗%Fe3()at%(1.4)/非磁性中间层4b;Ru(0.9)/第二固定磁性层4c(1.8)]/绝缘阻挡层5;Al—0/自由磁性层6[增强层6a;Co5Qat%Fe5,(1)/软磁性层6b;Ni85at%Fe15at%(5)]/保护层7[Ru(2)/Ta(27)]按顺序层叠。需要说明的是，括号内的数值表示平均膜厚，单位为nm。在形成膜厚0.43nm的Al层后，将上述Al层氧化而形成上述绝缘阻挡层5。另外，在形成上述绝缘阻挡层5之前将上述第二固定磁性层4c的表面进行等离子处理，需要说明的是，上述层叠体为(3膜。在试验中，将B浓度x设为20at^或30atX,另外，如下表11所示，调整CoFeB层4cl的平均膜厚tl、界面层(CoFe)4c2的平均膜厚t2，测定各试样的层间耦合磁场Hin。表11<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>表11所示的参考例1、参考例2为表10、表8所示的所需的CoFeB层4cl的平均膜厚tl之外的试样，参考例3是表10、表9所示的所需的膜厚比之外的试样。层间耦合磁场Hin在加厚第二固定磁性层使磁场增大时变大，但如表ll所示，在设B浓度x为20at^时，在CoFeB层的平均膜厚tl为1.5nm时为最小值，在设B浓度为30at^时，在CoFeB层的平均膜厚t2为0.9nm时为最小值。因此，可知在设B浓度x为20at^时，在CoFeB层的平均膜厚tl为1.5nm时平坦性得到最大地改善，在设B浓度x为30站％时，在CoFeB的平均膜厚tl为0.9nm以上时平坦性得到最大地改善。也包括这样的平坦性的提高效果，改善了绝缘阻挡膜5的膜品质，在本实施例中，推测为得到低的RA且高的电阻变化率(AR/R)。需要说明的是，如表11所示，将B浓度x设为30atX比将B浓度x设为20at^的情况相比，层间耦合磁场Hin低，因此，认为提高B浓度x更能够促进CoFeB层4cl的无定形化，且更容易提高平坦性。(规定(CoyFe卜y}K)hBx的原子比率y及构成界面层的CozFe100-z的Co浓度z的试验)自下将基板/基体层l;Ta(3)/籽晶层2;(Ni0.8Fe0.2)60at%Cr40at%(5)反强磁性层3;IrMn(5，5)/固定磁性层4[第一固定磁性层4a;Co7Qat%Fe30at%(2.1)/非磁性中间层4b;Ru(0.9)/第二固定磁性层4c;{(CoyFe,-y)80atB20at%(1.9)/CozFe100—z(0.6)]/绝缘阻挡层5;Al—0/自由磁性层6[增强层6a;Co20at%Fe,(1)/软磁性层;Ni,Fe,(5)]/保护层7[Ru(2)/Ta(27)]按顺序层叠。需要说明的是，括号内的数值表示平均膜厚，单位为nm。在形成膜厚0.43nm的Al层后，将上述Al层氧化而形成上述绝缘阻挡层5。另外，在形成上述绝缘阻挡层5之前将上述第二固定磁性层4c的表面进行等离子处理。在试验中，如下记表12所示，制造构成第二固定磁性层4c的(CoyFei_y),B2(^的原子比率y及CozFe跳z的Co浓度z不同的各试样，对各试样测定RA及电阻变化率(AR/R)。在试验中，首先由P膜测定RA及电阻变化率(AR/R)的膜特性。接着将与上述相同的膜构成的层叠体形成为与上述(3膜不同(但使对于各试样的A1层的氧化时间不同)，将各试样分别加工成80个量的图1所示的隧道型磁阻效果元件，求取80个隧道型磁检测元件每个(轨道宽度Tw:0.085um，高度长度0.4Um)的平均的RA及电阻变化率(AR/R)，同时调查(元件特性)RA及电阻变化率(厶R/R)的偏差。该试验结果入下表12所示。表12<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>如表12所示，可知在将原子比率y设为0.9、将Co浓度z设为90at%的试样中，作为膜特性的电阻变化率(AR/R)比表12所示的其它试样小。另外，如表12所示，可知在将原子比率y设为0.5、将Co浓度z设为50at^的试样中，作为膜特性的电阻变化率(AR/R)比表12所示的其它试样大。因此，从得到低RA及高AR/R的观点来看，上述两个试样脱离实施例。表12中所示的粗框包围的试样为实施例。另外，如表12所示，可知在将原子比率y设为0.9、将Co浓度z设为50at^的试样中，作为元件特性，RA及电阻变化率(AR/R)的偏差比表12所示的其它试样大。因此，当也考虑特性偏差时，优选上述列举的一个试样也脱离实施例。其次，自下将基板/基体层1;Ta(3)/籽晶层2;(Ni0.8Fe0.2)60at%Gl"40at%(5)反强磁性层3;IrMn(5.5)個定磁性层4[第一固定磁性层4a;Co70at%Fe3C)at%(2.5)/非磁性中间层4b;Ru(0.9)/第二固定磁性层4c;{(CoyFei-y)70at%B30at%(1.9)/CozFe100—z(1.1)}]/绝缘阻挡层5;Al—O/自由磁性层6[增强层6a;Co20at%Fe8,(1)/软磁性层6b;Ni88at%Fe12at%(5)]/保护层7[Ru(2)/Ta(27)]按顺序层叠。需要说明的是，括号内的数值表示平均膜厚，单位为nm。在形成膜厚0.43nm的Al层后，将上述Al层氧化而形成上述绝缘阻挡层5。另外，在形成上述绝缘阻挡层5之前将上述第二固定磁性层4c的表面进行等离子处理。在试验中，如下记表3所示，制造构成第二固定磁性层4c的(CoyFe,-y)70at%B30at%的原子比率y及C0zFeuK)—z的Co浓度z不同的多个试样，对各试样测定RA及电阻变化率(AR/R)。在试验中，首先由P膜测定RA及电阻变化率(AR/R)的膜特性。接着将与上述相同的膜构成的层叠体形成为与上述P膜不同(但使对于各试样的A1层的氧化时间不同)，将各试样分别加工成80个量的图1所示的隧道型磁阻效果元件，求取80个隧道型磁检测元件每个(轨道宽度Tw:0.08um，高度长度0.4um)的平均的RA及电阻变化率(AR/R)，同时调查(元件特性)RA及电阻变化率(AR/R)的偏差。该试验结果入下表13所示。表13<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>如表13所示，可知在将原子比率y设为0.9、将Co浓度z设为90at%的试样、及将原子比率y设为0.2、将Co浓度z设为20at^的试样中，作为膜特性的电阻变化率(AR/R)比表13所示的其它试样小。另外，如表13所示，可知在将原子比率y设为0.2、将Co浓度z设为50at^的试样中，作为膜特性的RA比表13所示的其它试样大。因此，从得到低RA及高AR/R的观点来看，上述三个试样脱离实施例。表13中所示的粗框包围的试样为实施例。另外，如表13所示，可知在将原子比率y设为0.9、将Co浓度z设为50at^的试样、及将原子比率y设为0.7、将Co浓度z设为50站％的试样中，作为元件特性，RA及电阻变化率(AR/R)的偏差比表13所示的其它试样大。因此，当也考虑特性偏差时，优选上述列举的两个试样也脱离实施例。图10是以原子比率y为X轴、以Co浓度z为Y轴、以B浓度x为Z轴的三维图。图10所示的各点是表12及表13所示的实施例的测定点。图10所示的e点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.5:50at%:30at%)，f点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.20:70at%:30at%)，g点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:90at%:30at%)，h点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:30at%)，i点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:70at%:30at%)，j点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at30at%)，k点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.70:50at%:20at%)，l点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:70at%:20at%)，m点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:90at%:20at%)，n点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:20at%)，o点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:20at%)，p点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:20at%)。图10所示的E点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:70at%:35at%)，L点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:70at%:17.5at%)，上述F点及L点通过将连结上述f点和1点的直线延长而求得。图10所示的G点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:90at%:35at%)，M点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:90at%:17.5at%)，上述G点及M点通过将连结上述g点和m点的直线延长而求得。图10所示的H点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:35at%)，N点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:17.5at%)，上述H点及N点通过将连结上述h点和n点的直线延长而求得。图IO所示的I点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:35at%)，O点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at17.5at%)，上述I点及O点通过将连结上述i点和o点的直线延长而求得。图IO所示的J点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:50at%:35at%)，P点为(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:17.5at%)，上述J点及P点通过将连结上述j点和p点的直线延长而求得。B浓度x、原子比率y、Co浓度z、和E点P点、e点p点的关系如下表14所示。表14<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>而且，在设上述B浓度x为17.5atX35atX的范围时，原子比率y及Co浓度z由如下直线包围的多面体内规定在图IO所示的三维图中，将E点及F点连结的直线(含直线上)、将上述F点及G点连结的直线(含直线上)、将上述G点及H点连结的直线(含直线上)、将上述H点及I点连结的直线(含直线上)、将上述I点及J点连结的直线(含直线上)、将上述J点及E点连结的直线(含直线上)、将K点及L点连结的直线(含直线上)、将上述L点及M点连结的直线(含直线上)、将上述M点及N点连结的直线(含直线上)、将上述N点及O点连结的直线(含直线上)、将上述O点及P点连结的直线(含直线上)、将上述P点及K点连结的直线(含直线上)、将上述E点及K点连结的直线(含直线上)、将上述F点及L点连结的直线(含直线上)、将上述G点及M点连结的直线(含直线上)、将上述H点及N点连结的直线(含直线上)、将上述I点及O点连结的直线(含直线上)、将上述J点及P点连结的直线(含直线上)。由此，能够有效地得到低的RA且高的电阻变化率(三角形R/R)。另外，优选将上述E点和I点直线连结(含直线上)、将K点和O点直线连结(含直线上)。即，在上述B浓度x为17.5at^35atX的范围内时，上述CoFeB层4cl的原子比率y和由CozFe1QQ—2形成的上述界面层4c2的Co浓度更优选在由如下直线包围的多面体内规定在图10所示的三维图中，将E点及I点连结的直线(含直线上)、将上述E点及F点连结的直线(含直线上)、将上述F点及G点连结的直线(含直线上)、将上述G点及H点连结的直线(含直线上)、将上述H点及I点连结的直线(含直线上)、将K点及O点连结的直线(含直线上)、将K点及L点连结的直线(含直线上)、将上述L点及M点连结的直线(含直线上)、将上述M点及N点连结的直线(含直线上)、将上述N点及O点连结的直线(含直线上)、将上述E点及K点连结的直线(含直线上)、将上述F点及L点连结的直线(含直线上)、将上述G点及M点连结的直线(含直线上)、将上述H点及N点连结的直线(含直线上)、将上述I点及O点连结的直线(含直线上)。由此，能够有效地抑制RA及电阻变化率(AR/R)的特性偏差。再有，在上述B浓度x为20at^30at^的范围内时，原子比率y及Co浓度z规定为由如下直线包围的多面体内将e点及f点连结的直线(含直线上)、将上述f点及g点连结的直线(含直线上)、将上述g点及h点连结的直线(含直线上)、将上述h点及i点连结的直线(含直线上)、将上述i点及j点连结的直线(含直线上)、将上述j点及e点连结的直线(含直线上)、将k点及1点连结的直线(含直线上)、将上述1点及m点连结的直线(含直线上)、将上述m点及n点连结的直线(含直线上)、将上述n点及o点连结的直线(含直线上)、将上述o点及p点连结的直线(含直线上)、将上述p点及k点连结的直线(含直线上)、将上述e点及k点连结的直线(含直线上)、将上述f点及l点连结的直线(含直线上)、将上述g点及m点连结的直线(含直线上)、将上述h点及n点连结的直线(含直线上)、将上述i点及o点连结的直线(含直线上)、将上述j点及p点连结的直线(含直线上)。由此，能够有效地得到低的RA及高的电阻变化率(AR/R)。另外，优选将上述e点和i点直线连结(含直线上)、将k点和o点直线连结(含直线上)。即，在上述B浓度x为20at^30atX的范围内时，上述CoFeB层4cl的原子比率y和由CozFe1()()—,形成的上述界面层4c2的Co浓度更优选在由如下直线包围的多面体内规定在图10所示的三维图中，将e点及i点连结的直线(含直线上)、将上述e点及f点连结的直线(含直线上)、将上述f点及g点连结的直线(含直线上)、将上述g点及h点连结的直线(含直线上)、将上述h点及i点连结的直线(含直线上)、将k点及o点连结的直线(含直线上)、将k点及1点连结的直线(含直线上)、将上述1点及m点连结的直线(含直线上)、将上述m点及n点连结的直线(含直线上)、将上述n点及o点连结的直线(含直线上)、将上述e点及k点连结的直线(含直线上)、将上述f点及l点连结的直线(含直线上)、将上述g点及m点连结的直线(含直线上)、将上述h点及n点连结的直线(含直线上)、将上述i点及o点连结的直线(含直线上)。由此，能够有效地抑制RA及电阻变化率(厶R/R)的特性偏差。权利要求1、一种隧道型磁检测元件，其中，其具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层从下顺序层叠的层叠部分，所述绝缘阻挡层由Al-O形成，构成所述固定磁性层的至少一部分且与所述绝缘阻挡层相接的阻挡层侧磁性层由CoFeB区域和界面区域构成，该CoFeB区域由CoFeB形成，该界面区域位于所述CoFeB区域和所述绝缘阻挡层之间，由CoFe或Co形成。2、如权利要求1所述的隧道型磁检测元件，其中，在所述CoFeB区域存在B浓度从与所述界面区域的边界的反面侧朝向所述界面区域逐渐减少的组成调制区域。3、一种隧道型磁检测元件，其中，其具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层从下顺序层叠的层叠部分，所述绝缘阻挡层由Al—O形成，构成所述固定磁性层的至少一部分且与所述绝缘阻挡层相接的阻挡层侧磁性层由CoFeB形成，在所述阻挡层侧磁性层中，与所述绝缘阻挡层相接的界面层的B浓度比与所述界面侧的反面侧的B浓度小。4、如权利要求3所述的隧道型磁检测元件，其中，在所述阻挡层侧磁性层存在B浓度从所述反面侧朝向所述界面侧逐渐减少的组成调制区域。5、如权利要求1所述的隧道型磁检测元件，其中，所述阻挡层侧磁性层是由元素扩散生成的层。6、一种隧道型磁检测元件，其中，其具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层从下顺序层叠的层叠部分，所述绝缘阻挡层由Al—O形成，构成所述固定磁性层的至少一部分且与所述绝缘阻挡层相接的阻挡层侧磁性层由CoFeB层和界面层的层叠构造构成，该CoFeB层由CoFeB形成，该界面层位于所述CoFeB层和所述绝缘阻挡层之间，由CoFe或Co形成。7、如权利要求5所述的隧道型磁检测元件，其中，所述CoFeB层由(CoyFe卜y}H)Q-xBx形成，其中，y表示原子比率，B浓度x为大于16at%但在40at^以下的范围内。8、如权利要求7所述的隧道型磁检测元件，其中，所述B浓度x为17.5at%以上但在35at%以下的范围内。9、如权利要求8所述的隧道型磁检测元件，其中，所述CoFeB层的平均膜厚，在图8所示的图中，在如下的范围内以将(l)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(17.5at%:1.65nm)、禾H(2)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(35at%:0.60nm)连结的直线为边界，从所述直线起图的上方，其中，该范围包括所述直线，而且，所述界面层相对于所述CoFeB层的膜厚比(界面层的平均膜厚/CoFeB层的平均膜厚)，在图9所示的图中，在由下述直线包围的范围内将A点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.00)及B点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:0.70)连结的直线、和将所述B点及C点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:1.65)连结的直线、和将所述C点及D点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.43)连结的直线、和将所述D点及所述A点连结的直线，其中，所述范围包括所述直线，但是不包括A点。10、如权利要求8所述的隧道型磁检测元件，其中，所述界面层由CozFe刚-z形成，所述CoFeB层的原子比率y和所述界面层的Co浓度z，在图10所示的三维图中，限定在由如下直线包围的多面体内将E点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.4:50at%:35at%)及F点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:70at%:35at%)连结的直线、将所述F点及G点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.05:90at%:35at%)连结的直线、将所述G点及H点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:35at%)连结的直线、将所述H点及I点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:35at%)连结的直线、将所述I点及J点(原子比率y:CO浓度Z:B浓度X)=(0.9:50at%:35at%)连结的直线、将所述J点及E点连结的直线，将K点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.75:50at%:17.5at%)及L点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:70at%:17.5at%)连结的直线、将所述L点及M点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:90at%:17.5at%)连结的直线、将所述M点及N点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:17.5at%)连结的直线、将所述N点及O点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:17.5at%)连结的直线、将所述O点及P点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:17.5at%)连结的直线、将所述P点及K点连结的直线，将所述E点及K点连结的直线、将所述F点及L点连结的直线、将所述G点及M点连结的直线、将所述H点及N点连结的直线、将所述I点及O点连结的直线、将所述J点及P点连结的直线，其中，所述多面体内包括所述直线。11、如权利要求7所述的隧道型磁检测元件，其中，所述B浓度x为20at^以上30at^以下。12、如权利要求ll所述的隧道型磁检测元件，其中，所述CoFeB层的平均膜厚，在图8所示的图中，在如下的范围内以将(3)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)二(20at%:1.5nm)、和(4)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(30at%:0.90nm)连结的直线为边界，从所述直线起的图的上方，其中，该范围包括所述直线，而且，所述界面层相对于所述CoFeB层的膜厚比(界面层的平均膜厚/CoFeB层的平均膜厚)，在图9所示的图中，在由下述直线包围的范围内将a点(B浓度x:膜厚比)二(20.0at%:0.10)及b点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:0.50)连结的直线、和将所述b点及c点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:1.30)连结的直线、和将所述c点及d点(B浓度x:膜厚比)=(20at%:0.60)连结的直线、和将所述d点及所述a点连结的直线，其中，所述范围包括所述直线。13、如权利要求11所述的隧道型磁检测元件，其中，所述界面层由CFeu)h形成，所述CoFeB层的原子比率y和所述界面层的Co浓度z，在图10所示的三维图中，限定在由如下直线包围的多面体内-将e点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.5:50at%:30at%)及f点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:70at%:30at%)连结的直线、将所述f点及g点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:90at%:30at%)连结的直线、将所述g点及h点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:Wat%:30at%)连结的直线、将所述h点及i点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:30at%)连结的直线、将所述i点及j点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:50at%:30at%)连结的直线、将所述j点及e点连结的直线，将k点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.70:50at%:20at%)及l点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:70at%:20at%)连结的直线、将所述l点及m点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:90at%:20at%)连结的直线、将所述m点及n点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:20at%)连结的直线、将所述n点及o点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:20at%)连结的直线、将所述o点及p点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:20at%)连结的直线、将所述p点及k点连结的直线，将所述e点及k点连结的直线、将所述f点及1点连结的直线、将所述g点及m点连结的直线、将所述h点及n点连结的直线、将所述i点及o点连结的直线、将所述j点及p点连结的直线，其中，所述多面体内包括所述直线。14、如权利要求1所述的隧道型磁检测元件，其中，所述固定磁性层是第一固定磁性层和第二固定磁性层夹着非磁性中间层层叠而成的层叠铁氧体构造，所述第二固定磁性层是与所述绝缘阻挡层相接的所述阻挡层侧磁性层。15、一种隧道型磁检测元件的制造方法，该隧道型磁检测元件具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层自下顺序层叠的层叠部分，其中，该制造方法包括(a)在由CoFeB构成的CoFeB层上层叠由CoFe或Co构成的界面层，形成构成所述固定磁性层的至少一部分的阻挡层侧磁性层的工序；(b)在所述阻挡层侧磁性层上形成由Al—O构成的绝缘阻挡层的工序；(c)在所述绝缘阻挡层上形成所述自由磁性层的工序。16、如权利要求15所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，所述CoFeB层由(CoyFe卜y)3x形成，其中，y表示原子比率，B浓度x在大于16at^但在40at^以下的范围内设定。17、如权利要求16所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，所述B浓度x在17.5at%以上但35at%以下的范围内形成。18、如权利要求17所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，所述CoFeB层的平均膜厚，在图8所示的图中，在下述范围内形成以将(l)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(17.5at%:1.65nm)、和(2)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(35at%:0.60nm)连结的直线为边界，从所述直线起的图的上方，其中，该范围包括所述直线，而且，所述界面层相对于所述CoFeB层的膜厚比(界面层的平均膜厚/CoFeB层的平均膜厚)，在图9所示的图中，在由下述直线包围的范围内调整将A点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.00)及B点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:0.70)连结的直线、和将所述B点及C点(B浓度x:膜厚比)=(35at%:1.65)连结的直线、和将所述C点及D点(B浓度x:膜厚比)=(17.5at%:0.43)连结的直线、和将所述D点及所述A点连结的直线，其中，所述范围包括所述直线，但是不包括A点。19、如权利要求17所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，所述界面层由COzFeu)。，形成，所述CoFeB层的原子比率y和所述界面层的Co浓度z，在图10所示的三维图中，在由如下直线包围的多面体内调整-将E点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.4:50at%:35at%)及F点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.05:70at%:35at%)连结的直线、将所述F点及G点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.05:90at%:35at%)连结的直线、将所述G点及H点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:35at%)连结的直线、将所述H点及I点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:35at%)连结的直线、将所述I点及J点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:35at%)连结的直线、将所述J点及E点连结的直线，将K点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.75:50at%:17.5at%)及L点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:70at%:17.5at%)连结的直线、将所述L点及M点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.58:90at%:17.5at%)连结的直线、将所述M点及N点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:17.5at%)连结的直线、将所述N点及O点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:70at%:17.5at%)连结的直线、将所述O点及P点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:17.5at%)连结的直线、将所述P点及K点连结的直线，将所述E点及K点连结的直线、将所述F点及L点连结的直线、将所述G点及M点连结的直线、将所述H点及N点连结的直线、将所述I点及O点连结的直线、将所述J点及P点连结的直线，其中，所述多面体内包括所述直线。20、如权利要求16所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，所述B浓度x在20at%以上30at%以下的范围内设定。21、如权利要求20所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，所述CoFeB层的平均膜厚，在图8所示的图中，在下述范围内形成以将G)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(20at%:1.5nm)、和(4)点(B浓度x:CoFeB层的平均膜厚)=(30at%:0.90nm)连结的直线为边界，从所述直线起的图的上方，其中，该范围包括所述直线，而且，所述界面层相对于所述CoFeB层的膜厚比(界面层的平均膜厚/CoFeB层的平均膜厚)，在图9所示的图中，在由下述直线包围的范围内调整将a点(B浓度x:膜厚比)=(20.0at%:0.10)及b点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:0.50)连结的直线、和将所述b点及c点(B浓度x:膜厚比)=(30at%:1.30)连结的直线、和将所述c点及d点(B浓度x:膜厚比)=(20at%:0.60)连结的直线、和将所述d点及所述a点连结的直线，其中，所述范围包括所述直线。22、如权利要求20所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，所述界面层由CozFe咖—z形成，所述CoFeB层的原子比率y和所述界面层的Co浓度z，在图10所示的三维图中，在由如下直线包围的多面体内调整将e点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.5:50at%:30at%)及f点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:70at%:30at%)连结的直线、将所述f点及g点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.20:90at%:30at%)连结的直线、将所述g点及h点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:30at%)连结的直线、将所述h点及i点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:70at%:30at%)连结的直线、将所述i点及j点(原子比率y:Co浓度Z:B浓度X)=(0.9:50at%:30at%)连结的直线、将所述j点及e点连结的直线，将k点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.70:50at%:20at%)及l点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:70at%:20at%)连结的直线、将所述l点及m点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.50:90at%:20at%)连结的直线、将所述m点及n点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.7:90at%:20at%)连结的直线、将所述n点及o点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)二(0.9:70at%:20at%)连结的直线、将所述o点及p点(原子比率y:Co浓度z:B浓度x)=(0.9:50at%:20at%)连结的直线、将所述p点及k点连结的直线，将所述e点及k点连结的直线、将所述f点及l点连结的直线、将所述g点及m点连结的直线、将所述h点及n点连结的直线、将所述i点及o点连结的直线、将所述j点及p点连结的直线，其中，所述多面体内包括所述直线。23、如权利要求15所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，在形成所述绝缘阻挡层时，形成Al层，之后将所述Al层氧化从而形成由Al—O构成的所述绝缘阻挡层。24、如权利要求15所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，在形成所述绝缘阻挡层时，使用Al—O的靶，在所述阻挡层侧磁性层上直接形成由Al—O构成的所述绝缘阻挡层。25、如权利要求15所述的隧道型磁检测元件的制造方法，其中，在形成所述层叠部分后，进行退火处理。全文摘要本发明提供一种隧道型磁检测元件及其制造方法，该隧道型磁检测元件由Al-O形成绝缘阻挡层，且能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。第二固定磁性层(4c)通过将由CoFeB形成的CoFeB层(4c1)及由CoFe或Co形成的界面层(4c2)顺序层叠而成。在所述第二固定磁性层(4c)上形成有由Al-O构成的绝缘阻挡层(5)。这样，通过设为CoFeB/CoFe/Al-O的层叠构造，能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。进而与目前相比，可抑制RA及电阻变化率(三角形R/R)的偏差。文档编号H01L43/08GK101150170SQ20071015279公开日2008年3月26日申请日期2007年9月21日优先权日2006年9月21日发明者五十岚一聪,朝妻浩太,梅津英治,田中健一申请人:阿尔卑斯电气株式会社