技术编号:7235098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种快闪存储器的制作方法,尤指 一种利用硅保护层以改善 存储器的结构与操作品质的快闪存储器制作方法。背景技术非易失性存储器具有可重复抹除与读写的特性,加上传输快速、低耗电, 所以应用层面非常广泛,已成为许多信息、通讯及消费性电子产品中的必要 元件。然而,为了提供轻巧及高品质的电子元件产品,提升非易失性存储器 的元件集成度与品质便成为当前信息产业与存储器制造业发展的重点。依照单位存储单元储存的数据位数,非易失性存储单元又可区分为单一位储存(sing...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。