技术编号:7235427
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由氮化物半导体构成的发光二极管。本发明特别涉及以窗电极层为特征的发光二极管。背景技术由氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)或它们的混合晶体构成的发光二极管,通过调整该发光二极管中包含的膜的组成,在从紫外线到红外线的较宽的波长区域发光。非专利文献1,公开了发出可见光的市售的发光二极管。图13表示由专利文献1公开的氮化物半导体构成的发光二极管的截面。如图13所示,该发光二极管,在具有(0001)面的面方位的蓝宝石基板91上,按照以下顺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。