技术编号:7235935
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的制造方法,特别是涉及一种高效率的双 栅极半导体元件的制造方法,此半导体元件的两个栅极结构具有不同的组 成份。背景技术制造半导体元件一般是利用一些连续的工艺步骤来完成。要制作完成 一个半导体元件,每增加一个工艺步骤即是代表成本的增加,因此对于近 年来市场上朝向更小、密度更高的元件组成且功能更强大的需求来说,开 发出更有效率且不会牺牲品质及可靠度的方法显得格外重要。一般来说,半导体元件是一种与电有关的元件组成;或是在一个以半 导体材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。