技术编号：7235954
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成器件及其制造领域。本发明尤其涉及晶体管设计领域，如MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)。 背景技术在半导体集成器件及其制造领域中，集成电路形成在衬底上， 该集成电路包括多个开关元件(如晶体管)。集成晶体管通常是场 效应晶体管(如金属氧化物半导体场效应晶体管)，并且可以特定 地形成为具有在衬底表面的不同侧向位置i殳置的两个源/漏区域的 平面晶体管。通常，在形成晶体管之前，在衬底中形成掺杂阱，以向nMOS 晶体管或pMOS晶体管或...
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