技术编号:7236307
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大致上为有关于一种非挥发性(non-volatile)存储装置,且特别是有关于一种闪 存(flash memory)单元及快闪存储装置的制造。背景技术闪存技术包括储存电荷于场效应晶体管(field effect transistor)沟道和栅极之间的存储单元。所 储存的电荷影响晶体管的临界(threshold)电压,且 此 一 由于所储存电荷所造成临界电压改变是可对指令 资料产生灵敏的反应。浮动栅极存储单元是为 一 种为人熟知且广为使用 的电荷储存...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。