技术编号:7236500
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用碳化硅(SiC)作为半导体材料的绝缘栅型半导体器件以及制造绝缘栅型半导体器件的方法。背景技术近来,SiC作为下一代的半导体材料正引起广泛关注。SiC具有的电介质击穿电场为6MV/cm,该电场的大小比硅(Si)的大1个数量级。SiC的这种高电介质击穿特性会为半导体器件提供有利的特性,而这种特性是利用目前主流的Si型半导体器件不能实现的。具体来讲,SiC半导体器件的高击穿电压和低损耗导致非常需要实现功率转换器件的实际使用,所述功率转换器件诸如是电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。