技术编号：7236685
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及长波红外探测器材料，具体是指在GaAs衬底上生长铟砷锑 (InAsSb)厚膜材料的方法。背景技术中、远红外波段IU-V族化合物半导体材料制成的红外探测器在红外制导、 红外遥感、气象卫星及资源探测等方面都有着广阔的应用前景。因此生长这一 波段的红外材料，研制相应的探测器无论在民用还是在军用上都有着十分重要 的意义。国内外的一些研究小组生长并研究了其中的InAsSb、 InSbBi、 InTlSb 等III-V族红外材料，结果发现，InAsSb三元合...
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