技术编号:7236881
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机半导体器件和微细加工,尤其涉及一种利用 一次掩膜光刻同时定义出有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法。背景技术有机场效应晶体管(OFET)由于可在柔性、大面积衬底上构筑电子系统 模块而备受关注,有巨大的潜在应用市场。目前无论全有机还是有机/无机 混合器件基本上都是用薄膜晶体管结构来实现的,因此OFET又称有机薄 膜晶体管(OTFT)。要在绝缘介质两边制作栅电极和源、漏电极,都需要两块掩模版进行 两次光刻,存在工艺复杂和对准精度问题。用简单的工艺实现高...
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