技术编号：7237700
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用InN材料作缓冲层或衬底材料生长其它半导体材料或结构的方 法。尤其是在单晶或多晶InN半导体材料上利用CVD、 M0CVD或MBE生长方法生长单 层半导体材料或多层半导体结构材料。 背景技术随着半导体工业发展到如今的第三代半导体材料，由GaN、 IriN、 A1N及其三元合 金InxGai-xN、 Al、GahN组成的III族氮化物以其诸多独特的特性和广泛的应用前景， 成为了近年半导体光电子学研发的热点。2002年，美国Lawrence Be...
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