技术编号:7237963
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的来说涉及半导体器件。更具体地说,本发明涉及一 种形成半导体器件的栅极的方法。背景技术随着半导体器件的设计规则趋于小型化,为了形成精细图案, 光源的数值孔径和波长("增加。在形成栅极的过程中,曝光条件 在单元区域中是有效的,但是难以确保周围区域中的聚焦深度("DOF")裕量,因此在栅极临界尺寸("CD")的调节方面存 在局限性。在周围区域露出的情况下执行修蚀工序,从而独立地控制 单元区域上的栅极临界尺寸。对于临界尺寸为45nm的图案,需要将临界尺寸...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。