技术编号:7238282
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体装置的制作,更准确地说,本发明涉及硅化钴 膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。背景技术随着金属氧化物半导体(MOS)的栅电阻和源/漏接触电阻的增加,含有 MOS晶体管的半导体器件的操作速度下降。因此,硅化膜被广泛应用来降 低这些电阻。硅化钴膜,特别是二硅化一钴(CoSi2)膜,由于其低电阻(16 18liDcm)、良好的热稳定性和随尺寸减少的薄片电阻(Rs)而尤其有用。硅 化钴膜已被使用在静态随机存取存储器(SRAM)装...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。