技术编号：7238582
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有MIM (Metal—Insulator—Metal)构造的电容元件的 。背景技术用下部电极以及上部电极夹持绝缘性的电容膜的构造(MIM构造) 的电容元件，电阻成分小且能够实现高电容密度化，因此作为搭载于无线 通信用系统LSI中的电容元件被注目。作为MIM构造的电容元件， 一般由包括A1 (铝)的金属膜形成下部 电极以及上部电极，但为了进一步实现电阻降低，研究了作为下部电极的 材料，使用更高导电性的Cu (铜)来代替Al。图3 (a) 3 (...
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