技术编号:7238662
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及这样一种,该方法包括通过 使用离子植入工序的双重图案化方法形成与传统分辨率相比相对更 微小的图案。背景技术传统的双重图案化通常通过下述两种方法之一来执行。 第一种方法包括两次形成线宽间距比为1 3的线/距图案,该图 案具有双倍(2 l)节距。由于在第一种方法中重合度影响了临界尺寸(CD),因此需要准确地调节重合度以确保合适的CD均一性。第二种方法包括形成线宽间距比为1 3的线/距图案,在线图 案的侧壁处形成间隙壁,并且利用间隙壁作为硬掩模形成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。