技术编号:7238767
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更具体地涉及用于在形成大 表面浮置栅极时防止产生空隙的。背景技术在半导体存储器件中,快闪存储器件包括多个用于存储数据的存储 单元。在每个存储单元中形成浮置栅极,在浮置栅极中存储数据。随着 器件集成度的增加,浮置栅极的宽度变窄。因此,为确保浮置栅极的面 积和体积,形成厚的浮置栅极。然而,由于厚度增加而导致深宽比增加。 由于上述理由,在形成隔离层时可能在隔离层中产生空隙,因此器件的 稳定性可能降低。发明内容在本发明的方法中,浮置栅极的导电层由第一导...
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