技术编号:7238984
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种方法,所述方法用于通过局部改变的材料腐蚀的刻蚀处 理使半导体变薄和平坦化。技术相关半导体层的实例为SOI晶片的功能层(SOI-绝缘体上的半导体 或绝缘体上的硅)。SOI晶片包括半导体层例如硅层作为其功能层,所述半导体层位于基础晶片(或操作晶片)的一个表面上。所述半导体层的厚度随着待处理的元件的功能而变化。通常所谓的薄膜(少于100nm厚)和所谓的厚 膜(100nm-约80)im)是有区别的。或者基础晶片可以全部由电绝缘材料(例 如玻璃、石英、...
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