使位于电绝缘材料表面上的半导体层的厚度降低和均匀化的方法

专利名称：使位于电绝缘材料表面上的半导体层的厚度降低和均匀化的方法
使位于电绝缘材料表面上的半导体层的厚度降低和均匀化的方法本发明涉及一种方法，所述方法用于通过局部改变的材料腐蚀的刻蚀处 理使半导体变薄和平坦化。技术相关半导体层的实例为SOI晶片的功能层(SOI-绝缘体上的半导体 或绝缘体上的硅)。SOI晶片包括半导体层例如硅层作为其功能层，所述半导体层位于基础晶片(或操作晶片)的一个表面上。所述半导体层的厚度随着待处理的元件的功能而变化。通常所谓的薄膜(少于100nm厚)和所谓的厚 膜(100nm-约80)im)是有区别的。或者基础晶片可以全部由电绝缘材料(例 如玻璃、石英、蓝宝石)构成或者其可以例如由半导体材料，优选硅构成， 并且仅通过电绝缘层与半导体层隔离。所述电绝缘层可以由，例如，氧化硅 构成。SOI晶片的半导体层必须具有均匀的厚度直到最边缘区域。特别在半导体 层厚度为100nm或更少的情况下，晶体管的性质，例如阈电压，在层厚度不 均匀的情况下发生很大变化。含有薄半导体层和厚半导体层的SOI晶片的绝 对厚度容限依赖于层厚度。为了能集成尽可能多的电路，必需的层厚度均匀性还必须确保到前侧的 边缘附近。反过来，这也就意味着非常小的边界除外。术语SOI晶片的前侧 指承载功能层那一侧，随后在该侧上或该侧内制造电子元件。所有已知的生产SOI晶片的方法都试图直接调节半导体层的充分均匀性， 尽管由于严格要求，可能需要对SOI晶片的成品或半成品进行后处理以进一 步改进厚度均匀性。旨在改进厚度均匀性的用于SOI晶片后处理的多种方法是现有技术中公 知的。这些方法中许多都包括全面扫描SOI晶片的同时局部刻蚀方法，在较 高层厚度的位置提供较大的刻蚀腐蚀依据US2004/0063329A1，在干法刻蚀 中，SOI晶片的表面用喷嘴扫描，通过所述喷嘴气体蚀刻剂被局部输送。在 EP488642A2和EP511777A1描述的方法中，SOI晶片的半导体层的整个表面范围暴露于蚀刻剂。然而，当扫描表面时，此类刻蚀剂必须通过通过光学系 统聚焦的激光束或由光源发出的光束局部激活(光化学刻蚀)。为了达到局部不同的刻蚀腐蚀，所有需要扫描半导体层表面的方法都是 非常耗时的，并因此是非常昂贵的。而且， 一方面，扫描需要光源或喷嘴复 杂的移动，或者另一方面，需要SOI晶片复杂的移动。此外，层厚度额外的不均匀性特别出现在层的边缘区域，也就是离晶片边缘到5mm的区域内，以及在扫描期间发生重叠的区域。对于520nm的层厚 度，依据EP488642A2，不限定边缘除外获得10nm的层厚度均匀性能。依据 EP511777A1，对于108nm的层厚度，不限定边缘除外获得8nm的层厚度均匀 性。DE102004054566A1公开了一种使半导体层平坦化的方法，其中，在根据 位置测量半导体层厚度后，曝光晶片的全部表面的同时刻蚀SOI晶片。刻蚀 处理的腐蚀率取决于半导体晶片表面的光强度，而根据位置设置光强度以通 过位置相关的腐蚀率减小在先根据位置测量的层厚度的不同。此方法非常有 效地校正半导体层局部厚度的不同，但是它需要额外增加成本的费用在刻 蚀之前的厚度测量，用于曝光的掩模的生产以及曝光装置。JP09-008258A公开了一种方法，其中刻蚀SOI晶片的硅层，同时曝光全 部表面，其厚度被均匀化。该过程是自调节的，因为刻蚀率依赖于由光产生 的空穴(也就是缺电子，也就是说正电荷载体)的数量，因此依赖于照射量， 并因此依赖于整个绝缘层上局部硅层厚度。在硅层的特别的剩余厚度以下， 由光产生的电荷载体数量不再充足，变薄停止。因为硅层中光的吸收还依赖 于光的波长，此方法另外使调整硅层不同的剩余厚度成为可能。因此，此方 法不需要根据位置对光强度的任何外部调节，或刻蚀前任何的厚度测量，并 且不需要掩模，不过刻蚀装置仍必须以的方式来建造以使光能照射入。因此，本发明的目的是使SOI晶片的半导体层均匀化，而不需复杂的辅 助设备如照明装置。此目的可以通过使位于电绝缘材料表面上的半导体层的厚度降低和均匀 化的方法来实现，其中将所述半导体层的表面暴露于刻蚀剂的作用下，刻蚀 剂的氧化还原电位作为所述材料和半导体层期望最终厚度的函数来调节，以 便随着半导体层的厚度降低，半导体层表面上每单位时间由刻蚀剂进行的材料腐蚀变小，当达到期望厚度时，仅仅为每秒0-10%厚度，并且其中在没有 光的作用或外部电压的施加下来实施该方法。对于由应用于电绝缘层的任何材料或电绝缘基础材料制成的半导体晶片可以使用依据本发明的方法。例如，所述方法适用于全部SOI晶片。它们的功能层由半导体材料构成。所述半导体材料优选含有一种或多种选自硅、锗、碳化硅、ni/v化合物半导体和n/vi化合物半导体的物质。当半导体层由p型 掺杂硅构成时，也可以使用依据本发明的方法。该方法还可以用于使厚度超 过lpm的soi层变薄和均匀化，所述soi层可以例如通过供体晶片和基础晶 片键合后单面研磨或刻蚀来制造，其具有的功能层厚度变化对特殊应用来说 太大。在半导体层下面的电绝缘材料通常是氧化硅，不过也可以使用其它材 料，如金属氧化物、或氮化物。在通过将半导体层从供体晶片转移到基础晶片上而制造soi晶片的情况 下，在键合晶片并从剩余的供体晶片中分离出所述层之后，实施该方法。在SOI晶片的情况下，依据本发明的方法可以与一种或多种用于平滑表面或增强键合力的热过程，和/或一种或多种用于使半导体层变薄的氧化处理键合。优 选在依据本发明的方法后不进行抛光，以免再次损害平坦性。对于通过用其他技术例如SIMOX而不是转移半导体层制造的SOI晶片，也可使用该方法。当半导体层不是在整个晶片上而是仅仅局部存在时，也可 使用该方法。在此情况下，可能需要保护晶片的许多区域不受刻蚀作用。在没有光的作用下实施依据本发明的方法。这避免了对适于特别的曝光 要求的刻蚀装置的需要。因此，为实施依据本发明的方法，使用常规的刻蚀装置是可能的，其中可同时处理一个或多个SOI晶片。当然，"在没有光的作用下"不是意味着该方法必须在完全黑暗下实施。日光或传统的用于室内照明 的人造光的作用不影响依据本发明的方法的成功和经济可行性，当然是允许 的。然而，依据本发明的方法不利用通过其强度和波长在半导体层中产生明 显有助于刻蚀反应的电荷载体的光源。依据本发明的方法在不施加外部电压下来实施。该方法优选用液体刻蚀剂来实施。原则上，刻蚀剂也可以例如以凝胶或 气体添加。依据本发明，调整刻蚀剂的氧化还原电位以便，或者一旦达到期 望的半导体层最终厚度，半导体层表面上由刻蚀剂进行的材料腐蚀自动停止，或者当达到期望的最终厚度时，材料的腐蚀变慢以至于刻蚀过程可以在一定 时间后进行外部终止(例如通过将晶片从刻蚀剂中移出)，而因此不会在一定 程度上超过或低于期望的最终厚度，这对实用目的是很重要的。当外部停止 刻蚀反应时，最大"误差"不应超过期望最终厚度的10%。因为手动停止刻蚀 反应所用的时间最多为l秒(例如为了从刻蚀剂中移出晶片)，在本发明的情 况下，当达到半导体层的期望最终厚度时，对于刻蚀腐蚀，其小至仅仅为每秒0-10%半导体层厚度是足够的。以绝对数字表示，当达到半导体层的期望 最终厚度时刻蚀率应优选为0-lnm/s。如下面所述，可以通过适当选择刻蚀剂的组成来达到适合的氧化还原电 位。特别地，刻蚀剂的成分或其浓度或两者均可以进行适当地选择。在大多 数情况下，刻蚀剂的氧化还原电位基本上由其pH确定。在这些情况下，选择 刻蚀剂成分的浓度以调节适合的pH。依据本发明，在刻^l处理的起始阶段选择刻蚀剂的pH以得到相当高的刻 蚀率是可能的。在刻蚀处理过程中，可随后优选通过添加其组分之一 (也就 是增加该组分的浓度)来改变刻蚀剂的pH以及其氧化还原电位，因而当达到 期望最终层厚度时，刻蚀速率位于依据本发明的范围内。然而，优选地，在 刻蚀处理过程中不改变pH，也就是优选在进行刻蚀处理时不添加任何物质。此外所述氧化还原电位依赖于温度。依据Nernst方程，氧化还原电位与 温度成比例。可另外以这种方式影响期望最终厚度。如果半导体层含有硅或甚至基本上由硅构成(当然其可以被掺杂)，那么 刻蚀剂优选含有一种或多种氟化合物。特别地，在此情况下优选含有氟化氢 (HF)和氟化物盐的刻蚀剂。出于实用的原因，优选用水做溶剂，不过水不 是必需的成分。所述氟化物盐优选是氟化铵(NH4F)。原则上其它盐也是可以 的，然而NH4F具有的优势是NH4F被用在半导体工业中，因此可得到具有必 要规格的NH(F，以及当其与HF混合时使得调节pH成为可能，当与HF混合 时用作pH缓冲液。对于不同半导体层，其它刻蚀溶液是必要的。例如，锗可以用例如盐酸 (HCI/H20)或氯化氢和过氧化氢的水溶液(HC1/H202/H20)来刻蚀，砷化镓 (GaAs)可以用例如磷酸和过氧化氢的水溶液(H3P02/H202/H20)或硝酸和 硫酸的水溶液(HN03/H2S04/H20)来刻蚀，磷化铟(InP)可以用例如氯化氢和磷酸的混合物(HC1/H3P02)或氯化氢和硝酸的水溶液(HC1/HN03)来刻 蚀。下面通过对具有硅功能层的SOI晶片和基于HF或NHaF或其混合物的刻 蚀剂的使用，对本发明的方法进行详细描述，不过所述方法也可以用于其它 层结构、其它半导体材料和其它刻蚀剂。


图1:与氢氟酸(氟化氢，HF，在水溶液中)接触时p型掺杂硅的能带 弯曲。图2:与氢氟酸(氟化氢，HF，在水溶液中)接触时n型掺杂硅的能带 弯曲。图3:体硅材料中空间电荷区的分布图。 图4: SOI晶片的由硅构成的功能层中空间电荷区的分布图。 图5:与HF水溶液接触时硅晶片内部能带弯曲的分布略图。 图6:与氟化铵水溶液(NH4F)接触时硅晶片内部能带弯曲的分布略图。 图7:在25。C的温度下，在刻蚀5min后，在SOI晶片的lOOnm厚硅层 中，刻蚀深度d (nm)与所用刻蚀水溶液的pH的依从关系，所述刻蚀水溶液 包括5%浓度的HF和5%浓度的NH4F的混合物。曲线代表依从关系的指数拟 合。图8:在SOI晶片的lOOnm厚硅层上，对于包括10%浓度的HF和10% 浓度的NH4F溶液的混合物的水溶液，刻蚀深度d (nm)随反应时间t (min) 的分布图。pH值调节为5.5。温度保持在25。C。直线代表测量到t=60min的 值的线性外推。图9:对于SOI晶片的2200nm厚硅层，在l(TC时不同pH值下，对于包 括5%浓度的HF和5%浓度的NH4F溶液的混合物的刻蚀水溶液，刻蚀深度d (rnn)随反应时间t (min)的分布图。图10:在SOI晶片的100nm厚硅层中，在10°C以及pH值为4时，对于 包括5%浓度的HF和5%浓度的NH4F溶液的混合物的刻蚀水溶液，刻蚀深度 d (nm)随反应时间t (min)的分布图。
具体实施方式
硅(Si)是一种带隙为1.12eV的间接半导体。因此与电解液接触的行为 可用能带模型非常清楚地得到解释。例如，如果将硅与氢氟酸水溶液(HF)接触，那么在硅和电解液之间的界面上发生电化学电位的均衡。为阻止从硅 中出现自由移动电荷载体，在界面上形成空间电荷区。而后，在空间电荷区形成静电荷形式的多余电荷Q,也就是，那里不再有任何自由移动电荷载体。 相反地，在界面的电解液一侧出现电解双层形式的相反电荷-Q。除非溶液极 度稀释，否则其含有的电荷载体浓度超过硅中的浓度(依赖于掺杂水平)一 个数量级。因此，电解液侧的电荷可通过范围在数纳米内的薄层得到补偿。另一方面，对于中等掺杂和低掺杂，硅中的空间电荷区延伸至一微米级 别的深度。由硅空间电荷区和电解液双层中的电荷Q引起的全部电位，因此 在硅内下降。在硅与电解液间的界面处，该硅空间电荷区中的电位降低引起 硅内的能带弯曲(图1、 2)。对p型掺杂硅(图1)，在Si/HF界面的价带和导带(分别为1和2)向 较低的电子能(向下)弯曲。因此硅表面空穴耗尽。另一方面，对n型掺杂 硅(图2)，能带向较高的电子能(向上)弯曲。硅表面导带电子耗尽。符号 3和4分别表离子化掺杂原子。HF与电阻系数为0.5-lQcm的p型掺杂硅的接触导致空间电荷区的宽度 为约1微米。尽管表面空穴耗尽，然而其仍然能够被HF溶液刻蚀。所需的空 穴来自硅体，它们在那里得到热再生。通常，两种方式溶解硅是可用的。 一方面，硅可以被直接腐蚀和溶解， 另一方面，可以釆用形成和溶解二氧化硅(Si02)的路线。在含有氢氟酸的酸 性溶液中，直接路线仅得到非常低的十分之几nm/min的刻蚀速率。Si + ffiV + 2HF S [SiF6]2- + 2H30+ (1) 因此对用氢氟酸刻蚀而言，两步过程是可取的。在第一步中，将硅氧化 形成二氧化硅，随后用氢氟酸溶解。Si + 6H20 + 4h+ S Si02 + 4H30+ (2 )Si02+ 4HF t; SiF4 + 2H20 ( 3 )SiF4+ 2HF + 2 H20 S [SiF6]2- + 2H30+ (4)此反应路径的速率比依据反应式(l)直接溶解硅高1000-10000倍。因此，尽管同时存在两个反应路径，直接溶解可以不作考虑。原则上所有这些考虑因素都可以直接适用于SOI晶片的硅层，因为仍然 涉及到HF/Si界面。然而，这种性能比不上块体材料(bulkmaterial)的性能。 块体材料和SOI材料间的关键区别在于功能层的厚度。即使对薄层而言，能带模型本身是自然被保留的。然而，空间电荷区宽 度对硅层厚度的比率发生变化。块体材料中的空间电荷区能延伸至硅晶片的 全部厚度(图3)，而在SOI晶片的情况下，其被限制在功能层的厚度(图4)。 对于所述电阻系数范围，块体材料的空间电荷区至少大于SOI晶片功能层厚 度一个数量级。因为在SOI情况下，仅仅需要考虑功能层内的电荷载体，所以能带弯曲 和空间电荷区宽度也相对较低。因此在刻蚀剂和硅之间界面处的氧化还原电 位发生移动，这对可能的反应具有相应的影响。即使对薄硅层而言，关于用氢氟酸溶解硅的过程的模型假设也被全部保 留。在功能层表面上的硅溶解也通过两种机制之一发生，所述两种机制也就 是直接或间接溶解。其所需的空穴(h+，"缺电子")由功能层提供。但是，现 在仅能得到非常有限的供应，因为空穴的数量与存在的硅的量成比例地变化。 如果界面上的反应从硅中消耗的空穴比能够热再生的多，那么在功能层中的 空穴的绝对数量减少直到任何产生的空穴立即增加至界面。对于快速反应， 这意味着空间电荷区将延伸至功能层的整个厚度。如果反应发生较慢，那么 空间电荷区宽度也能够较小因此一些功能层继续具有自由移动电荷载体。功能层内空间电荷区的宽度对功能层的性质非常重要。在通常情况下， 能带弯曲导致界面上空穴或电子耗尽。由于随后的平带电位，并非所有的电 荷载体能遵循电位分布。但是如果能带弯曲扩展至全部量，那么电位将不能 通过。因此电荷载体的完全消耗是可能的。例如当在室温下用由48M浓度HF 和H202制成的pH为1的刻蚀溶液刻蚀具有100nm厚半导体层的SOI晶片时， 出现这种情况在一小时的刻蚀时间里，半导体层被保护，也就是当用所述 的刻蚀溶液时，半导体层的最终厚度超过lOOrnn。在这些条件下，在块体材 料上会刻蚀若干|im。同样，氢氟酸(HF)和硝酸(HN03)的经典组混合物在室温下不溶解硅 层。只有升温至约5(TC才在数秒内得到期望的结果。与较弱的氧化剂如磷酸(H3P04)或过氧化氢(H202)的混合物在室温下不刻蚀硅层，在较高温度下 也仅非常慢地刻蚀。相反，用强氧化剂例如铬酸，在极短时间内完全腐蚀硅 层是可能的。因此，对功能层的部分刻蚀，需要适合的刻蚀剂。适合的刻蚀剂必须在 功能层内产生带移，从而功能层内的平带电位得到保护。对于所讨论的SOI晶片，氟化铵(NH4F)是适合的刻蚀剂。关于块体材 料，己知NH4F溶液刻蚀远慢于HF溶液。对于SOI晶片的薄硅层，此关系相 反对100nm厚的SOI晶片，在室温下可达到数nm/min的起始刻蚀速率。氟化铵溶液与氟化氢溶液间的不同，除了不同的阳离子之外，在于溶液 的pH。 HF的pH约为1 ，而NH4F的pH约为7。不同pH值导致相对于HF 溶液，NH4F溶液的化学电位发生位移。从文献中已知在硅中的能带弯曲也随 pH而线性变化。NH4F溶液的化学电位比HF溶液更好地匹配于功能层的硅能 带弯曲电位。同时，反应进行地更慢，每单位时间仅需要少量空穴，这导致 了功能层中较小的空间电荷区宽度。在功能层中保持了平带电位(图6)。因 此，功能层的刻蚀的发生类似于块体材料。然而，与用HF溶液刻蚀块体材料 相比，其发生得更迅速。调节pH还提供最优化刻蚀效果的机会。例如，pH以及刻蚀速率可以通 过混合HF和NH4F溶液而变化。借助于一系列由5%浓度HF溶液和5%浓度 NH4F溶液制成的混合物来研究pH对刻蚀速率的影响。从这些溶液中，可通 过不同的混合比率调节得到l-7之间的所有pH值而不影响氟离子的浓度。具 有起始厚度为100nm的硅层的SOI晶片在由此制得的分别具有不同pH值得 刻蚀溶液中刻蚀一定的时间(5分钟)。保持温度在25t:。图7显示随着pH 的增加，刻蚀深度d (nm)呈指数上升，这对应于随着pH的增加，刻蚀速率 呈指数上升。对于pH-7，达到12nm/mhi的最大值，不过这还能够通过改变 浓度和温度进一步增加。因此，对pH变化的响应与在块状材料情况下的响应 相反。在界面上的氧化还原电位的位移有利于与氟化铵的反应。因此HF-NH4F 溶液能够在室温下以l-12nm/min的可调刻蚀速率腐蚀功能层。当功能层随着持续的刻蚀而变得越来越薄时，发现与氢氟酸相同的效果 最终开始起作用留在薄功能层中的电荷载体的数量变得越来越小，因而能 带弯曲逐渐变弱。与此相关联的是在界面上氧化还原电位有位移。由于此位移，刻蚀速率降低直到与氯化铵溶液的反应不再可能。研究在SOI晶片上的刻蚀深度作为反应时间的函数确认了这个假设。图8表示对于SOI晶片的100nm厚硅层，在不同刻蚀时间后的刻蚀深度d (nm)。 所述刻蚀溶液由10。/。浓度HF水溶液和10"K)浓度NH4F水溶液的混合物组成， pH为5.5。刻蚀温度保持在25"C。可以看到刻蚀深度对反应时间清楚的线性 依存关系，直到约60min的刻蚀时间后超过大约75nm深度。如果外推起始刻 蚀速率，那么在80min的刻蚀时间后100nm厚的半导体层全部应被刻蚀掉。 然而，即使在100min的刻蚀时间内，仍然留有薄硅层，这可以从氧化物不受侵蚀的事实来看出。图9描述了对于具有2200nm厚半导体层的SOI晶片，刻蚀深度d (nm) 作为刻蚀时间t (min)的函数的发展，所述SOI晶片采用不同pH值的刻蚀 溶液来刻蚀。刻蚀溶液的pH值分别通过以适合的比例混合5%浓度HF水溶 液和5。/。浓度NH4F水溶液产生。温度保持在l(TC。可以看出随着刻蚀时间的 增加，刻蚀作用降低，也就是随着半导体层厚度的减小，刻蚀速率降低。随 着刻蚀时间的增加，刻蚀深度趋于不同的极限值，也就是用不同pH的刻蚀溶 液能够得到不同最终厚度的硅层。氟化铵溶液的这个特性可以被用作SOI晶片的刻蚀终止，直至功能层变 薄的程度防止其自身被穿透。刻蚀终止作用的深度可以通过调节pH控制。图10显示了具有起始100nm厚半导体层的SOI晶片可通过可控方式变 薄。 一种刻蚀水溶液，其中通过以适合的比例混合5%浓度HF水溶液和5% 浓度NH4F水溶液调节pH为4,在l(TC下刻蚀最多约25nm(延长刻蚀时间t， 刻蚀深度d-25nm)，也就是半导体层的厚度能以可控的方式降低至75nm。此 厚度可以通过改变pH而控制。例如，当pH为5时，半导体层的最终厚度降 低为约50nm。
权利要求
1.一种用于使位于电绝缘材料表面上的半导体层厚度变薄和均匀化的方法，其中将所述半导体层的表面暴露于刻蚀剂的作用下，所述刻蚀剂的氧化还原电位作为材料和半导体层的期望最终厚度的函数来进行调节，以便随着半导体层的厚度降低，在半导体层表面每单位时间由刻蚀剂进行的材料腐蚀变小，当达到期望厚度时，仅仅为每秒0-10％厚度，其中所述方法在没有光的作用或外部电压的施加下实施。
2. 权利要求1所述的方法，其中所述半导体层含有一种或多种选自硅、锗、碳化硅、in/v化合物半导体和n/vi化合物半导体的物质。
3. 权利要求1-2之一所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位通过刻蚀剂的组成来调节。
4. 权利要求3所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位通过选择刻 蚀剂组分来调节。
5. 权利要求3所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位通过刻蚀剂 组分的浓度来调节。
6. 权利要求5所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位基本上由其 pH来确定，并且其中选择刻蚀剂组分的浓度以调节适合的pH。
7. 权利要求3-6之一所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位还可 通过选择温度来调节。
8. 权利要求3-7之一所述的方法，其中所述半导体层含有硅，刻蚀剂含 有一种或多种氟化合物。
9. 权利要求8所述的方法，其中所述刻蚀剂含有氟化氢和氟化物盐。
10. 权利要求9所述的方法，其中所述氟化物盐是氟化铵。
11. 权利要求l-10之一所述的方法，其中所述半导体层由p型掺杂硅构成。
12. 权利要求1-11之一所述的方法，其中所述半导体层是SOI晶片的功 能层。
13. 权利要求1-12之一所述的方法，其中当达到期望最终厚度时，在半 导体层表面上每单位时间由刻蚀剂进行的材料腐蚀为0-lnm。
全文摘要
本发明涉及一种用于使位于电绝缘材料的表面的半导体层厚度变薄和均匀化的方法，其中将半导体层的表面暴露于刻蚀剂的作用下，所述刻蚀剂的氧化还原电位作为材料和半导体层的期望最终厚度的函数来进行调节，以便随着半导体层的厚度降低，在半导体层表面每单位时间由刻蚀剂进行的材料腐蚀变小，当达到期望厚度时，仅仅为每秒0-10％厚度，其中所述方法在没有光的作用或外部电压的施加下实施。
文档编号H01L21/02GK101241856SQ200710305948
公开日2008年8月13日 申请日期2007年12月28日 优先权日2007年2月7日
发明者D·费若, O·里门施奈德, R·瓦利希 申请人:硅电子股份公司