半导体加工用表面保护粘着带的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种半导体加工用表面保护粘着带，其于基材上具有粘着剂层，其中，该粘着带的探针粘附力B为0.08～0.20(MPa)，且该粘着带的粘着力A(N/25mm)与探针粘附力B(MPa)之比C(A/B)为10(N/25mm/MPa)以上。
【专利说明】半导体加工用表面保护粘着带
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体装置加工所使用的表面保护粘着带，更详细而言，本发明涉及用于半导体晶片背面研削时优选的半导体加工用表面保护粘着带。
【背景技术】
[0002]半导体晶片(以下记为晶片)的加工步骤中，在晶片表面形成图案后，进行所谓背面研削、研磨，将晶片背面研削、研磨至特定厚度。此时，为了保护晶片表面，在晶片表面贴合表面保护粘着带，并于该状态下对晶片背面进行研削。作为表面保护粘着带，提出了一种表面保护粘着带，其在乙烯乙酸乙烯酯共聚物(以下记为EVA)等聚烯烃基材树脂膜上设置有以丙烯酸系聚合物作为主成分的粘着剂层(例如参照专利文献I)。
[0003]晶片表面的图案中存在各种电子电路或电极、对这些进行保护的聚酰亚胺等保护膜、以及在将晶片单片化成芯片的切晶步骤时刀片所切入的沟槽(即槽线)。由于如上所述的结构，导致晶片表面并不平滑，存在数ym?数十ym的阶差、凹凸。
[0004]该阶差的大小或形状因晶片或装置的种类而各种各样，业界期待通过贴合表面保护粘着带与晶片表面的阶差密合来填补间隙。然而，晶片的阶差大或带较硬的情况下，表面保护粘着带对晶片表面的贴附性不足，因而产生所谓渗流现象，在背面研削时或化学机械研磨时，研削水或研磨液(浆料)渗入到晶片与带的间隙之中。
[0005]由于产生渗流，造成带自晶片剥离并以该部位为起点于晶片中产生裂痕而导致破损，或者成为产生由渗入水所造成的晶片表面的污染或糊料的附着而使成品率严重恶化的原因。
[0006]针对渗流，已知有利用加厚粘着剂、降低粘着剂的弹性|旲数等方法提闻对晶片表面的密合性的方法(例如参照专利文献2)。另外，通过提高粘着力也可期待相同的效果。
[0007]通过采用如上所述的方法，带的粘附力同时上升。所谓粘附力，其是指所谓用手指接触表面时的黏性感，其是用以满足粘着于被粘着体的粘着带的最基本条件所必需的特性。
[0008]另一方面，过强的粘附力将导致粘着带在使用方面随处可见弊端。例如，将保护粘着带贴合至晶片上时使用所谓贴合机的装置。处于带卷出位置的带由各种辊支持而剥离脱模膜，贴合于晶片上并切割成晶片形状，最终卷取不用部分并回收。(例如参照专利文献3)
[0009]粘着带贴合在晶片后被卷取时，存在粘着剂与支持棍接触的部分。若带的粘附力较大，则存在带难以自辊剥离而直接卷绕在辊上的情况。
[0010]因此，业界期望一种兼具对晶片表面保护而言较为充分的粘着力及对作业性影响较小的粘附力的带。
[0011]现有技术文献
[0012]专利文献
[0013][专利文献I]日本特开2000-8010号公报
[0014][专利文献2]日本特开2002-53819号公报[0015][专利文献3]日本特开2010-98132号公报
【发明内容】
[0016]本发明的课题在于解决上述问题，提供一种半导体加工用表面保护粘着带，在半导体晶片的加工，具体地说，硅晶片等的背面研削步骤中，即使对于阶差或凹凸大的晶片，也不会因其粘着力而导致产生渗流，并且作业性良好。
[0017]本发明人等对上述课题进行了潜心研究，结果发现，粘着力与探针粘附力之比处于特定范围的半导体加工用表面保护粘着带可在背面研削步骤中防止渗流，带来良好的作业性。本发明是基于该见解而完成的。
[0018]S卩，本发明利用下述方法解决上述课题。
[0019](I) 一种半导体加工用表面保护粘着带，其于基材上具有粘着剂层，
[0020]该粘着带的探针粘附力B为0.08?0.20 (MPa)，且该粘着带的粘着力A (N / 25mm)与探针粘附力B(MPa)之比C(A / B)为10(N / 25mm / MPa)以上。
[0021](2)如上述(I)所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，上述粘着力A为0.9 ?2.0 (N / 25mm)。
[0022](3)如上述(I)或(2)所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，上述粘着剂层的厚度为15?55 μ m。
[0023](4)如上述(I)至(3)中任一项所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，上述基材由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成。
[0024]根据本发明，可提供一种半导体加工用表面保护粘着带，在半导体晶片的加工，具体地说，在硅晶片等的背面研削步骤中，即便对于阶差或凹凸大的晶片也可防止渗流，并改善作业性。
[0025]通过下述记载，对本发明的上述及其它特征及优点进一步进行阐明。
【具体实施方式】
[0026]本发明的半导体加工用表面保护用粘着带由基材及形成于基材上的粘着剂(接着剂层)构成。
[0027]对于构成本发明所使用的基材的树脂并无特别限制，可使用现有公知的树脂。作为本发明的基材所使用的树脂的示例，可列举出高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、或它们的金属交联物(离子聚合物)等聚烯烃类；聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯类。各种树脂可单独使用一种或将两种以上掺混使用。本发明所使用的基材可为单层结构，也可组合2种以上的树脂或使用掺混树脂来制成多层结构。从研削后的晶片翘曲或柔软性的观点出发，更优选使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)基材。基材所使用的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，乙酸乙烯酯成分的含量优选为5?30质量％，更优选为10?20质量％。
[0028]基材树脂中可添加用以辨认、识别粘着带的着色用颜料等，可在对物性无影响的范围内添加添加物。
[0029]对基材的厚度并无特别限定，可适当地设定，优选为50?200 μ m。[0030]对上述基材的制造方法并无特别限定。可使用注射、挤出、吹塑等现有方法。
[0031]本发明所使用的粘着剂只要满足使用该粘着剂所形成的粘着带的粘着力A(N/25mm)与探针粘附力B(MPa)之比C(A / B)为10(N / 25mm / MPa)以上，则并无特别限制。例如，可列举出以(甲基)丙烯酸酯作为构成成分的均聚物、或具有两种以上(甲基)丙烯酸酯作为构成成分的共聚物。作为该(甲基)丙烯酸酯，优选碳数为30以下的直链或具有支链的烷基(例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戍基、异戍基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、^ 烷基、月桂基、十二烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基及十二烷基)的(甲基)丙稀酸烷基酷，更优选碳数为4~18的直链或具有支链的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
[0032]上述共聚物中，作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯以外的构成成分，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、顺丁烯二酸、反丁烯二酸及丁烯酸等含羧基的单体成分；顺丁烯二酸酐或衣康酸酐等酸酐单体成分；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基的单体成分；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的单体成分；磷酸2-羟基乙基丙烯酰基酯等含磷酸基的单体成分；(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸N-羟基甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基胺基乙酯等)、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酰基吗啉、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。上述共聚物中可含有一种或两种以上这些单体成分。
[0033]另外，上述共聚物可含有以下的多官能性单体成分作为构成成分。作为该多官能性单体成分的示例，可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸聚酯及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。上述共聚物中可含有一种或两种以上这些多官能性单体成分。
[0034]上述共聚物例如可含有(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯等作为(甲基)丙烯酸酯成分。
[0035]本发明所使用的粘着剂优选为包含具有丙烯酸酯与甲基丙烯酸酯的两方面作为构成成分的共聚物。另外，本发明所使用的粘着剂进而优选为包含醇部无取代的(甲基)丙烯酸酯与醇部具有取代基的(甲基)丙烯酸酯的两方面作为构成成分的共聚物。另外，作为醇部具有取代基的情况下的该取代基，优选烷基、羟基或环氧基。作为醇部具有取代基的(甲基)丙烯酸酯，优选(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯或(甲基)丙烯酸缩水甘油酯。
[0036]本发明所使用的粘着剂所含的共聚物中，优选醇部无取代的(甲基)丙烯酸酯成分的含量为40~60质量％。另外，优选共聚物中的醇部无取代的丙烯酸酯成分含量比醇部无取代的甲基丙烯酸酯成分含量多。醇部无取代的丙烯酸酯成分在上述共聚物中的含量优选为25?50质量％。
[0037]另一方面，醇部具有取代基的形态的(甲基)丙烯酸2-乙基己酯成分在上述共聚物中的含量优选为35?50质量％，更优选的含量为40?50质量％。该(甲基)丙烯酸2-乙基己酯优选为丙烯酸2-乙基己酯。
[0038]进而，上述共聚物优选含有(甲基)丙烯酸缩水甘油酯成分。该(甲基)丙烯酸缩水甘油酯在上述共聚物中的含量更优选为I?5质量％。该(甲基)丙烯酸缩水甘油酯优选为甲基丙烯酸缩水甘油酯。
[0039]上述共聚物优选含有(甲基)丙烯酸成分。上述共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的含量优选为0.5?5质量％。该(甲基)丙烯酸优选为甲基丙烯酸。
[0040]对于优选用作本发明所使用的粘着剂的上述共聚物，优选使用表面活性剂进行乳化聚合所得的共聚物。作为表面活性剂，优选阴离子系表面活性剂，优选聚氧乙烯烷基苯基酿的硫酸酷盐，其中优选苯环上加成有稀丙基的聚氧乙稀烧基苯基酿的硫酸酷盐。另外，优选聚合时并用聚丙二醇或聚乙二醇。另外，优选使用经去离子化的纯水作为反应溶剂。再者，作为聚合引发剂，可为任意聚合引发剂，优选过硫酸盐。
[0041]本发明中，粘着剂中可使用固化剂。
[0042]作为固化剂，可使用日本特开2007-146104号公报中记载的固化剂。例如可列举出1，3_双(N，N-二缩水甘油基胺基甲基)环己烷、1，3-双(N，N-二缩水甘油基胺基甲基)甲苯、1，3-双(N，N-二缩水甘油基胺基甲基)苯、N，N，N，N’ -四缩水甘油基间苯二甲胺等分子中具有两个以上环氧基的环氧化合物；2，4_甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3- 二甲苯二异氰酸酯、1，4- 二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷_4，4’ - 二异氰酸酯等分子中具有两个以上异氰酸酯基的异氰酸酯化合物；四轻甲基-三-β -氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β - (2-甲基氮丙啶)丙酸酯等分子中具有两个以上氮丙啶基的氮丙啶化合物等。固化剂的含量根据所需的粘着力进行调整即可，相对于上述聚合物100质量份，固化剂的含量优选为0.01?10质量份,进一步优选为0.1?5质量份。
[0043]另外，本发明中，还可使粘着剂层中含有光聚合性化合物及光聚合弓I发剂。通过含有光聚合引发剂，可通过照射紫外线而使粘着剂层固化，降低粘着剂层的粘着力。作为这种光聚合性化合物，例如可使用如日本特开昭60-196956号公报及日本特开昭60-223139号公报中所公开的可通过光照射而立体网状化的于分子内至少具有两个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。
[0044]具体而言，例如可使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1，4- 丁二醇二丙烯酸酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的丙烯酸寡酯。
[0045]作为光聚合引发剂，可使用日本特开2007-146104号公报或日本特开2004-186429号公报中记载的光聚合引发剂。另外，例如，可并用异丙基安息香醚、异丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮、氯噻吨酮、苯偶酰甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烧。
[0046]作为粘着剂层，可使用利用含有聚合物中具有光聚合性碳-碳双键的聚合物、光聚合引发剂及固化剂的树脂组成物而成的光聚合性粘着剂。作为聚合物中具有碳-碳双键的聚合物，优选利用任意方法将一种或两种以上的侧链上具有碳原子数为4?12、进一步优选为碳原子数8的烷基的(甲基)丙烯酸酯等的单体或共聚合性改质单体均聚合或共聚合而成的(甲基)丙烯酸系聚合物。
[0047]对于以此种方式形成的光聚合性粘着剂层，通过照射放射线、优选为紫外线，可使粘着力自初始大幅度下降，可容易地自被粘着体剥离粘着带。
[0048]本发明中，粘着剂层的厚度可根据欲应用的被粘着体而适当设定，对其并无特别限制，优选为15?55 μ m,更优选为20?50 μ m。若超过55 μ m,则产生对晶片的糊剂残留等的可能性提高，反之，若低于15 μ m,则无法追附晶片表面的凹凸，从而有成为渗流等的要因的可能性。
[0049]本发明的半导体加工用表面粘着带的粘着力A(N / 25mm)与探针粘附力B(MPa)之比C(C = A / B)为10(N / 25mm / MPa)以上。通过设定于该范围内，可具有即便对于阶差或凹凸大的晶片也不产生渗流的粘着力，而且使作业性保持良好。该比C优选为10?60 (N / 25mm / MPa)，更优选为 10 ?40 (N / 25mm / MPa)。
[0050]此处，粘着力A优选为0.8?4.0N / 25_，更优选为0.9?2.0N / 25_。另一方面，探针粘附力B优选为0.20MPa以下，更优选为0.08?0.20MPa,进一步优选为0.10?0.20MPa。
[0051]对于粘着力A与探针粘附力B，利用以下方法分别依据JIS Z0237进行测定。
[0052]<粘着力A >
[0053]使用以#280的耐水砂纸均匀地进行水磨后经水洗、脱脂的SUS304钢板，研磨后放置I小时，然后使2kg荷重的橡胶辊对25_宽的半导体加工用表面保护粘着带的表面进行3次往返，贴合该粘着带，放置I小时后，以剥离角度180度、拉伸速度300mm / min、测定温度23°C的条件求出剥离时的荷重，由此获得粘着力A。
[0054]<探针粘附力B >
[0055]使用粘附试验机(例如Rhesca制造的TACII)于半导体加工用表面保护粘着带的基材背面侧(粘着剂涂敷面的相反侧)以30mm / min的速度压入3πιπιΦ圆柱状探针，于室温下以静止荷重IOOg保持Isec后，以600mm / min的速度进行提拉，通过测定此时的荷重而求出探针粘附力B。
[0056]粘着力A及探针粘附力B可根据粘着剂层中的聚合物种类或添加物的种类或量、尤其是粘着剂所使用的聚合物的种类、尤其是单体成分的种类与量进行调整。此外，
[0057]探针粘附力还可根据基材的种类进行调整。为了将上述比C调整成10(N /25mm / MPa)以上，优选为将基材、粘着剂层设为上述优选范围。
[0058]进而，粘着力A及探针粘附力B因粘着剂层所使用的聚合物(上述聚合物)的弹性模数、分子量、玻璃转移温度(Tg)或固化剂、塑化剂、脱模剂、填料等添加物而变化，尤其是Tg、质量平均分子量、固化剂的影响较大。因此，为了将上述比C调整成10(N / 25mm /MPa)以上，将交联后的Tg设为-50?-10°C、优选为-40?_20°C，或将质量平均分子量设为80万以上、优选为100万以上，或相对于聚合物100质量份，将固化剂的混合份数调整成0.3?1.8质量份、优选为0.5?1.5质量份，由此也可设成目标范围。
[0059][实施例]
[0060]以下，基于实施例及比较例对本发明进行详细说明，但本发明并不限于此。[0061](实施例1)
[0062]向经去离子的纯水中添加于苯环上加成有烯丙基的聚氧乙烯烷基苯基醚化合物及聚丙二醇化合物作为表面活性剂，添加过硫酸铵作为聚合引发剂，一面加热一面搅拌。然后，将甲基丙烯酸甲酯16质量份、丙烯酸丁酯40质量份、丙烯酸2-乙基己酯40质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯2质量份及甲基丙烯酸2质量份滴加至搅拌溶液中，进而持续搅拌进行聚合，获得丙烯酸系乳液粘着剂组成物A。
[0063]通过挤出成形而成膜出厚度165 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)构成的基材，使用上述组成的粘着剂组成物A，以涂敷后的厚度为40 μ m的方式在其上形成层，获得半导体加工用表面保护粘着带。利用后述的方法测定该粘着带的粘着力与探针粘附力，结果粘着力为1.18N / 25mm，探针粘附力为0.1OMPa0
[0064](实施例2)
[0065]分别将上述粘着剂组成物A的甲基丙烯酸甲酯变更为10质量份，将丙烯酸2-乙基己酯变更为46质量份，由此变更为将粘着力调整成1.24N / 25mm、将探针粘附力调整成
0.1lMPa的粘着剂组成物B，除此以外，利用与实施例1相同的方法获得半导体加工用表面保护粘着带。
[0066](实施例3)
[0067]向经去离子的纯水中添加于苯环上加成有烯丙基的聚氧乙烯壬基苯基醚硫酸酯的铵盐化合物及聚丙二醇化合物作为表面活性剂，添加过硫酸铵作为聚合引发剂，一面加热一面搅拌。然后，将甲基丙烯酸甲酯15质量份、丙烯酸丁酯30质量份、丙烯酸2-乙基己酯43质量份及甲基丙烯酸缩水甘油酯2质量份滴加至搅拌溶液中，进而持续搅拌进行聚合，获得丙烯酸系乳液粘着剂组成物C。
[0068]通过挤出成形而成膜出厚度70 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)构成的基材，将其与经双轴延伸的40μπι的聚丙烯膜(PP)贴合，获得合计厚度为ΙΙΟμπι的多层结构基材。使用上述组成的粘着剂组成物C，以涂敷后的厚度成为20 μ m的方式在该基材上形成层，获得半导体加工用表面保护粘着带。该粘着带的粘着力为3.20N / 25mm，粘附力为
0.16MPa。
[0069](实施例4)
[0070]向经去离子的纯水中添加苯环上加成有烯丙基的聚氧乙烯烷基苯基醚化合物及聚丙二醇化合物作为表面活性剂，添加过硫酸铵作为聚合引发剂，一面加热一面搅拌。然后，将甲基丙烯酸甲酯15质量份、丙烯酸丁酯35质量份、丙烯酸2-乙基己酯45质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯2质量份及甲基丙烯酸I质量份滴加至搅拌溶液中，进而持续搅拌进行聚合，获得丙烯酸系乳液粘着剂组成物D。
[0071]通过挤出成形而成膜出厚度120 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)构成的基材，使用以(甲基)丙烯酸共聚物作为主成分的上述组成的粘着剂组成物D，以涂敷后的厚度成为50 μ m的方式在其上形成层，获得半导体加工用表面保护粘着带。该粘着带的粘着力为1.38N / 25臟，粘附力为0.1IMPa。
[0072](实施例5)
[0073]通过将上述粘着剂组成物D的甲基丙烯酸变更为5质量份，而变更成将粘着力调整成3.75N / 25mm、将探针粘附力调整成0.1OMPa的粘着剂组成物E，除此以外，利用与实施例4相同的方法获得半导体加工用表面保护粘着带。
[0074](比较例I)
[0075]使丙烯酸甲酯5质量份、丙烯酸2-乙基己酯60质量份及甲基丙烯酸甲酯5质量份于乙酸乙酯溶液中聚合，而获得丙烯酸系共聚物。向聚合而成的丙烯酸系共聚物中掺混加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司制造)0.5质量份及环氧系固化剂E-5XM(商品名，综研化学制造)2质量份，为了调整成容易涂敷的黏度而添加乙酸乙酯进行调整，获得粘着剂组成物F。
[0076]通过挤出成形而成膜出厚度165 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)构成的基材，使用以(甲基)丙烯酸共聚物作为主成分的上述组成的粘着剂组成物F，以涂敷后的厚度成为40 μ m的方式在其上形成层，获得半导体加工用表面保护粘着带。粘着力为
0.31N / 25mm，探针粘附力为 0.1lMPa0
[0077](比较例2)
[0078]通过将上述粘着剂组成物F的环氧系固化剂的混合量变更为0.5质量份，而变更成将粘着力调整成1.88N / 25mm、将探针粘附力调整成0.30MPa的粘着剂组成物G，除此以夕卜，利用与比较例I相同的方法获得半导体加工用表面保护粘着带。
[0079](比较例3)
[0080]通过挤出成形将乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)与高密度聚乙烯(HDPE)积层，获得厚度IOOym的ΕνΑ(70μπι) / HDPE (30 μ m)多层结构基材。另外，得到了丙烯酸系共聚物，其是使丙烯酸丁酯85质量份及丙烯酸2-羟基乙酯15质量份于乙酸乙酯溶液中聚合所得的。向聚合而成的丙烯酸系共聚物中掺混加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名’ Nippon Polyurethane公司制造)0.5质量份,为了调整成容易涂敷的黏度而添加乙酸乙酯进行调整，获得粘着剂组成物H。使用该粘着剂组成物H，以涂敷后的厚度成为30 μ m的方式形成层，获得半导体加工用表面保护粘着带。该粘着带的粘着力为0.88N / 25mm，探针粘附力为0.26MPa。
[0081](比较例4)
[0082]相对于作为丙烯酸2-乙基己酯60质量份、丙烯酸2-羟基乙酯38质量份及甲基丙烯酸2质量份的共聚物的丙烯酸系共聚物100质量份，添加加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司制造)4质量份、作为低聚物的具有光聚合性碳-碳双键的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯150质量份及作为光聚合引发剂的Irgacurel84 (商品名，Ciba Japan公司制造)5质量份,为了调整成容易涂敷的黏度而添加乙酸乙酯进行调整，获得粘着剂组成物I。
[0083]通过挤出成形而成膜出厚度IOOym的EVA (70μπι) / HDPE (30 μ m)多层结构基材，使用上述粘着剂组成物I，以涂敷后的厚度成为30 μ m的方式在其上形成层，获得半导体加工用表面保护粘着带。该粘着带的粘着力为1.30N / 25mm，探针粘附力为0.24MPa。
[0084](表面保护用粘着带的性能评价)
[0085]对上述实施例与比较例中获得的各半导体加工用表面保护粘着带进行以下试验并评价其性能，获得了下述表I及2的结果。
[0086](粘着力)
[0087]使用以#280的耐水砂纸均匀地水磨后经水洗、脱脂的SUS304钢板，研磨后放置I小时后，使2kg荷重的橡胶辊对25_宽的试验板的表面进行3次往返而贴合试验片，进而放置I小时后求出剥离时的荷重。剥离角度为180度，拉伸速度为300mm / min，测定温度为 23。。。
[0088](探针粘附力)
[0089]使用粘附试验机(商品名:TACII,Rhesca制造)，于试验片的基材背面侧(与粘着剂涂敷面的相反侧)以30mm / min的速度压入3mmΦ圆柱状探针，以静止荷重IOOg保持Isec后以600_ / min的速度进行提拉,测定此时的荷重。
[0090](渗流)
[0091]硅晶片的直径为8英寸，在整个表面上以5mm间隔形成有宽度50 μ m、深度30 μ m的沟槽，使用贴合机(商品名:DR-8500II，日东电工(股)制造)，在形成有沟槽的面上贴合半导体加工用表面保护粘着带。利用砂磨机(商品名:DGP8760，Disc (股)制造)对贴合有该粘着带的晶片进行背面研削，研削至50 μ m，研究自研削后的晶片外周部向沟槽的切割水的渗入，通过目视按以下等级进行评价。
[0092]评价等级
[0093]A:未见渗入。
[0094]B:略微可见渗入。
[0095]C:明显可见渗入。
[0096](贴合时作业性)
[0097]利用贴合机的贴合后，卷绕带，此时按以下等级对带黏附与粘着剂接触的支持辊上的情况(剥离性)进行评价。
[0098]评价等级
[0099]A:带未黏附于存在于通过路径中的任一支持辊上，可顺利地卷取带。
[0100]B:带黏附于支持辊上，但未卷绕至该支持辊上，可卷取带。
[0101]C:带黏附于支持辊上且未剥离，带卷绕至该支持辊上。
[0102](翘曲)
[0103]上述研削中，将8英寸直径的硅裸晶片研削至50 μ m的厚度后，使附有半导体加工用表面保护粘着带的晶片因发生翘曲而产生的凸侧向下，将附有该粘着带的晶片静置于水平的台上。对该晶片的两端的翘曲进行测定，将其平均值作为晶片的翘曲，按以下等级进行评价。
[0104]评价等级
[0105]A:翘曲小于25_。
[0106]B:翅曲为25謹以上且小于3Ctam。
[0107]C:翘曲为30mm以上。
[0108][表 I]
【权利要求】
1.一种半导体加工用表面保护粘着带，其在基材上具有粘着剂层，其中， 该粘着带的探针粘附力B为0.08?0.20 (MPa)，且该粘着带的粘着力A (N / 25mm)与探针粘附力B(MPa)之比C(A / B)为10(N / 25mm / MPa)以上。
2.如权利要求1所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，该粘着力A为0.9?2.0 (N / 25mm)。
3.如权利要求1或2所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，该粘着剂层的厚度为15 ?55 μ m0
4.如权利要求1?3中任一项所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，该基材由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成。
【文档编号】H01L21/304GK103733316SQ201380002367
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年5月21日 优先权日:2012年5月23日
【发明者】内山具朗, 横井启时 申请人:古河电气工业株式会社